EEPROM -个重要的失效模式EAM5045DV是隧道氧化层击穿。已经证明，本征单元的耐久性高于106个E/W周期。但是在存储单元中存在少数几个弱位在低于104个擦写周期内就失效。由于在相邻两个字节中的任何两位在104的擦写周期内失效的几率是不可忽略的，所以ECC电路的设计时应在两个字节中矫正单一的位。一个ECC电路的框图如图2.67所示。在写周期中，在LB=“1”的第一个字节(WDOO-07）和在LB-“O”的第二个字节（WD10 -17）在同一个地址下必须分段输入。第一个数据被锁存在数据输入锁存器中。然后，利用一个修改的汉明码从第一、第二个输入字节中产生5个奇偶位。在读周期中，5个校验位(SO -4)从21位数据(RDoo_07，RDio和RDEO E4)中产生，并且译码矫正读数据。被矫正的两个字节之一被LB转换到输出缓冲器。