- 输出波形的确认2012/5/30 20:31:33 2012/5/30 20:31:33
- 照片12.2是用VR1把输BR24C08出电压调整到5V，输出端接负载电阻RL=10002时(输出电流ID=50mA=5V／100Q)的输入VI，输出Vo的波形。VI=15V，Vo=5V，表明这是降...[全文]
- 脉冲整流电路的结构2012/5/29 19:51:59 2012/5/29 19:51:59
- Di和C5、C6是将Li释放出EE80C196KB16的高压电脉动整流、变换为直流输出电压的整流电路。如果D．截止，那么它两端所加的是输出电压，所以D，的反向耐压VRM必须高于电源的输出电压(在这...[全文]
- MOSFET的选择2012/5/28 19:27:02 2012/5/28 19:27:02
- 使用LT1587CM-2.5不同，漏极电LT1587CM-2.5流不受IDSS的限制，所以不需要过于在意漏极电流的设定值。作为电路中使用的MOSFET，应该选择漏极一源极间电压的最大额定值VDS...[全文]
- 射极跟随器型开关电路2012/5/27 19:24:37 2012/5/27 19:24:37
- 图8.18的电路是给图8.17(c)的电路赋予具AD9775BSVZ体电路常数值的射极跟随器型开关电路。照片8.9是给这个电路输入lkHz、4VP-P的正弦波时的输入输出波形。当输入信号Vi的振幅...[全文]
- 使用电流反射镜的电流反馈型放大器2012/5/26 14:38:25 2012/5/26 14:38:25
- 前面图7.3的说明中曾经提到电流反TMS320DM6437ZWT7馈型放大器是检出反转输入端的电流，再由跨阻抗级变换为电压。图7.7的电路是在源极跟随器的漏极插入电阻，通过检幽它的电压降等效地检出电...[全文]
- 源极跟随器的设计2012/5/25 20:23:35 2012/5/25 20:23:35
- 如果输入级源极跟随器MSP430F2132IPWR使用跨导gM大的器件，可以降低反转输入端的阻抗，提高电路的性能。但是，对于gm大的增强型FET，如果不注意输入偏置的话将会发生转换失真。而且如图7....[全文]
- 选择温度补偿用晶体管2012/5/23 20:11:58 2012/5/23 20:11:58
- 下面确定温度补偿用LM3S615-IQN50-C2的晶体管Tri。只要这个晶体管集电极电流Ic的最大额定值在6.5mA以上（Tr4或Trs的IDSS的最大值），集电极一发射极电压的最大额定值在几伏以...[全文]
- 关于源极跟随器级的电源2012/5/23 19:50:20 2012/5/23 19:50:20
- 在MOSFET源极跟LM3S2276-IQR50-A0随器级，由于必须给负载(802)提供10W的输出，所以流过的电流相当大。例如按照P=12R，10W输出时的输出电流为为了稳定地提供这个...[全文]
- 采用P沟JFET和负电源的电路2012/5/22 19:46:43 2012/5/22 19:46:43
- 图4.16是采用P沟JFET和负TFP401APZP电源的源极跟随器电路。电路构成正好与使用正电源时的N沟JFET电路以接GND线为对称。电路的设计方法与使用N沟JFET时完全相同。但是，对于P沟...[全文]
- 用N沟JFET和负电源的电路2012/5/22 19:44:38 2012/5/22 19:44:38
- 图4.15是采用N沟JFET和负电源的TFP410PAP源极跟随器电路。即使用负电源也能够作成N沟JFET源极跟随器。使用负电源时基本的电路构成与图4.1的电路没有什么改变。与使用正电源电路的不同之...[全文]
- 推 挽2012/5/22 19:31:55 2012/5/22 19:31:55
- 图4.7的电路是为了改善由于空载电流引起MSP430F2274IDAR输出波形被限幅的缺点，用P沟JFET源极跟随器替代源极电阻的电路，称为推挽源极跟随器(PushPullSourceFollo...[全文]
- 噪声特性2012/5/21 20:06:30 2012/5/21 20:06:30
- 图3.26是将输入端接GND时CC2430F128RTCR测得的输出端噪声频谱(0～l0kHz)。在千赫附近，为-llOdBm(换算为电压约为0.7tuV)。作为绝对值这个僮是非常小的，所以噪声很...[全文]
- 使输入电容变大的米勒效应2012/5/21 19:53:19 2012/5/21 19:53:19
- 图3.21是FET的内部电容。在FET内MSP430F2132IPWR部各极间的极间电容有CGD、CGS和CDS。图3.22(a)是考虑到这些电容时的源极接地放大电路。这里的主要问题是栅极一漏极间...[全文]
- FET的传输特性2012/5/20 18:38:34 2012/5/20 18:38:34
- FET是通过栅极上所加的电TLP521GB/GR压控制漏极一源极间电流的电压控制器件。描述FET性质最常用的方法是叫做传输特性的曲线，它表示漏极电流ID与栅极一源极间电压VGS的关系。图2.1...[全文]
- FET与MOSFET2012/5/19 20:34:41 2012/5/19 20:34:41
- 双极晶体管只有NPN和PNP两种类型，FET的分类TLP181GB/GR则稍微复杂。如图2.6所示，FET按照结构可以分为结型FET(JFET:JunctionFET)和绝缘栅FET(MOSFE...[全文]
- 灵活使用技术2012/5/19 20:05:22 2012/5/19 20:05:22
- 不仅是上面所说的纯粹的PS21767模拟电路，在数字电路以及开关电路中也采用类似的方法。图1.3是用数字电路IC的输出驱动负载的开关电路中使用晶体管、FET的例子。也有这种开关电路的专用IC，...[全文]
- 晶体管、FET和lC2012/5/19 19:56:10 2012/5/19 19:56:10
- 现在是IC的全盛时代！我们身边有各种各样的电器，例如SGL160N60UFDTU电视、VTR、CD组合式收录机、计算机等，打开这些电器的机壳就会发现内部几乎全是IC，已经很难找到晶体管或FET等分立...[全文]
- 总谐波失真率2012/5/18 20:42:43 2012/5/18 20:42:43
- 是无可争辩的好性能THD与AM26C32IDR输出电压的关系曲线。信号频率分别为20Hz、lkHz和20kHz时，都打破了0.001%的限度（在1V附近）。所以，作为声频电路应用，是很好的特性。图...[全文]
- 动放大部分的设计2012/5/18 19:58:23 2012/5/18 19:58:23
- 图12.10表示所设计的电路各TMS320F2808PZA部分的直流电位关系。首先，对于差动放大电路的Tr1与Tr2的集电极电流分别取为ImA。这样一来，恒流源晶体管的集电极电流必须设定在2mA（...[全文]
- 改变负电源用的三端稳定器的输出电压2012/5/16 20:21:08 2012/5/16 20:21:08
- 串通型电源的控制晶体管可以LPC1756FBD80认为是射极跟随器。射极跟随器是容易振荡的电路，所以必须确实地进行电源的去耦。三端稳定器也不例外，必须进行电源去耦。在电路中，整流电路的滤波电容器是紧...[全文]
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