针对主要失效模式开展可靠性设计
发布时间:2012/4/26 20:06:57 访问次数:911
可靠性设计的重点是消除和LM386-1控制产品的失效模式或机理，因此，在进行新品设计时应收集同类产品的失效信息和影响产品可靠性的因素，并分析主要的失效模式和失效机理，才能针对性地采取设计措施。
晶格缺陷类型、对可靠性的影响分析和消除措施
(1)晶格缺陷类型和对可靠性的影响分析
晶格缺陷类型主要有：点缺陷、位错、层错、旋涡缺陷、外延层中的微缺陷、二次缺陷等。
1)点缺陷
点缺陷有如点阵空位、间隙原子、杂质原子等。产生原因主要是：
①单晶生长的冷却过程中，温度急剧变化，致使点缺陷呈现过饱和现象。
②单晶、外延掺杂不均匀、扩散掺奈不均匀。
点缺陷对产品可靠性的影响主要是：
①器件击穿电压不均匀，部分器件被击穿。
②fT下降，fT的峰值电流变小。
2)位错
位错主要包括单晶生长引入位错，即原生位错和器件工艺诱生位错两种。对产品可靠性的影响主要是：
①重金属杂质在位错上的沉积，其沿位错线扩散系数比Ⅲ、V族杂质的扩散系数高los—l06倍。当位错线通过P-N结时，会造成低击穿或多段击穿。每次局部雪崩击穿都发生高能电子、空穴对的复合、发射可见光（浅结：白光，深结：红光）。
②在位错线上增强扩散可造成E-C穿通。
3)层错
层错主要包括外延衬底机械损伤和清洗残留物造成外延层错(△)，对产品可靠性的影响主要为增强扩散、低软击穿，E-C穿通增大等方面。
4)旋涡缺陷
直拉或悬浮区熔法生长的单晶其微缺陷中有旋涡花纹，这种高温生长的热缺陷主要是空位，其浓度ns在1.2×l013～9×l015 CIIl-，它会使迁移率下降，MOS-FET的gm下降。
5)外延层中的微缺陷
雾状点缺陷，密度l06～l07 cm-2（称雾片），用雾片制作三极管其成品率只有“亮片”的1/3。
晶格缺陷类型、对可靠性的影响分析和消除措施
(1)晶格缺陷类型和对可靠性的影响分析
晶格缺陷类型主要有：点缺陷、位错、层错、旋涡缺陷、外延层中的微缺陷、二次缺陷等。
1)点缺陷
点缺陷有如点阵空位、间隙原子、杂质原子等。产生原因主要是：
①单晶生长的冷却过程中，温度急剧变化，致使点缺陷呈现过饱和现象。
②单晶、外延掺杂不均匀、扩散掺奈不均匀。
点缺陷对产品可靠性的影响主要是：
①器件击穿电压不均匀，部分器件被击穿。
②fT下降，fT的峰值电流变小。
2)位错
位错主要包括单晶生长引入位错，即原生位错和器件工艺诱生位错两种。对产品可靠性的影响主要是：
①重金属杂质在位错上的沉积，其沿位错线扩散系数比Ⅲ、V族杂质的扩散系数高los—l06倍。当位错线通过P-N结时，会造成低击穿或多段击穿。每次局部雪崩击穿都发生高能电子、空穴对的复合、发射可见光（浅结：白光，深结：红光）。
②在位错线上增强扩散可造成E-C穿通。
3)层错
层错主要包括外延衬底机械损伤和清洗残留物造成外延层错(△)，对产品可靠性的影响主要为增强扩散、低软击穿，E-C穿通增大等方面。
4)旋涡缺陷
直拉或悬浮区熔法生长的单晶其微缺陷中有旋涡花纹，这种高温生长的热缺陷主要是空位，其浓度ns在1.2×l013～9×l015 CIIl-，它会使迁移率下降，MOS-FET的gm下降。
5)外延层中的微缺陷
雾状点缺陷，密度l06～l07 cm-2（称雾片），用雾片制作三极管其成品率只有“亮片”的1/3。
可靠性设计的重点是消除和LM386-1控制产品的失效模式或机理，因此，在进行新品设计时应收集同类产品的失效信息和影响产品可靠性的因素，并分析主要的失效模式和失效机理，才能针对性地采取设计措施。
晶格缺陷类型、对可靠性的影响分析和消除措施
(1)晶格缺陷类型和对可靠性的影响分析
晶格缺陷类型主要有：点缺陷、位错、层错、旋涡缺陷、外延层中的微缺陷、二次缺陷等。
1)点缺陷
点缺陷有如点阵空位、间隙原子、杂质原子等。产生原因主要是：
①单晶生长的冷却过程中，温度急剧变化，致使点缺陷呈现过饱和现象。
②单晶、外延掺杂不均匀、扩散掺奈不均匀。
点缺陷对产品可靠性的影响主要是：
①器件击穿电压不均匀，部分器件被击穿。
②fT下降，fT的峰值电流变小。
2)位错
位错主要包括单晶生长引入位错，即原生位错和器件工艺诱生位错两种。对产品可靠性的影响主要是：
①重金属杂质在位错上的沉积，其沿位错线扩散系数比Ⅲ、V族杂质的扩散系数高los—l06倍。当位错线通过P-N结时，会造成低击穿或多段击穿。每次局部雪崩击穿都发生高能电子、空穴对的复合、发射可见光（浅结：白光，深结：红光）。
②在位错线上增强扩散可造成E-C穿通。
3)层错
层错主要包括外延衬底机械损伤和清洗残留物造成外延层错(△)，对产品可靠性的影响主要为增强扩散、低软击穿，E-C穿通增大等方面。
4)旋涡缺陷
直拉或悬浮区熔法生长的单晶其微缺陷中有旋涡花纹，这种高温生长的热缺陷主要是空位，其浓度ns在1.2×l013～9×l015 CIIl-，它会使迁移率下降，MOS-FET的gm下降。
5)外延层中的微缺陷
雾状点缺陷，密度l06～l07 cm-2（称雾片），用雾片制作三极管其成品率只有“亮片”的1/3。
晶格缺陷类型、对可靠性的影响分析和消除措施
(1)晶格缺陷类型和对可靠性的影响分析
晶格缺陷类型主要有：点缺陷、位错、层错、旋涡缺陷、外延层中的微缺陷、二次缺陷等。
1)点缺陷
点缺陷有如点阵空位、间隙原子、杂质原子等。产生原因主要是：
①单晶生长的冷却过程中，温度急剧变化，致使点缺陷呈现过饱和现象。
②单晶、外延掺杂不均匀、扩散掺奈不均匀。
点缺陷对产品可靠性的影响主要是：
①器件击穿电压不均匀，部分器件被击穿。
②fT下降，fT的峰值电流变小。
2)位错
位错主要包括单晶生长引入位错，即原生位错和器件工艺诱生位错两种。对产品可靠性的影响主要是：
①重金属杂质在位错上的沉积，其沿位错线扩散系数比Ⅲ、V族杂质的扩散系数高los—l06倍。当位错线通过P-N结时，会造成低击穿或多段击穿。每次局部雪崩击穿都发生高能电子、空穴对的复合、发射可见光（浅结：白光，深结：红光）。
②在位错线上增强扩散可造成E-C穿通。
3)层错
层错主要包括外延衬底机械损伤和清洗残留物造成外延层错(△)，对产品可靠性的影响主要为增强扩散、低软击穿，E-C穿通增大等方面。
4)旋涡缺陷
直拉或悬浮区熔法生长的单晶其微缺陷中有旋涡花纹，这种高温生长的热缺陷主要是空位，其浓度ns在1.2×l013～9×l015 CIIl-，它会使迁移率下降，MOS-FET的gm下降。
5)外延层中的微缺陷
雾状点缺陷，密度l06～l07 cm-2（称雾片），用雾片制作三极管其成品率只有“亮片”的1/3。
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