采用P沟JFET和负电源的电路
发布时间:2012/5/22 19:46:43 访问次数:876
图4.16是采用P沟JFET和负TFP401APZP电源的源极跟随器电路。电路构成正好与使用正电源时的N沟JFET电路以接GND线为对称。
电路的设计方法与使用N沟JFET时完全相同。但是，对于P沟JFET必须注意VGS的极性力正。
为了设定源极电流（为了计算源极电阻的值），需要从数据表中求FET的VGS。不过这里使用的2 SJ105（东芝）的数据表中没有提供GR档产品的传输特性。
2SJ105与图4.15中使用的2SK330成互补对——电气特性相同的N沟和P沟对。所以VGS值就可以采用2SK330GR的值（当然极性是相反的）。因为图4.16与图4.15的源极电流相同，所以2SJ105GR的VGS也与图4.15相同，按0.9V计算源极电阻（因为源极电阻的值相同）。
由于该电路源极电阻的电压降比VGS大，所以设计时即使按VGS=O求源极电阻也没有问题（实际的源极电流不是2mA，不过误差并不大）。
电路的设计方法与使用N沟JFET时完全相同。但是，对于P沟JFET必须注意VGS的极性力正。
为了设定源极电流（为了计算源极电阻的值），需要从数据表中求FET的VGS。不过这里使用的2 SJ105（东芝）的数据表中没有提供GR档产品的传输特性。
2SJ105与图4.15中使用的2SK330成互补对——电气特性相同的N沟和P沟对。所以VGS值就可以采用2SK330GR的值（当然极性是相反的）。因为图4.16与图4.15的源极电流相同，所以2SJ105GR的VGS也与图4.15相同，按0.9V计算源极电阻（因为源极电阻的值相同）。
由于该电路源极电阻的电压降比VGS大，所以设计时即使按VGS=O求源极电阻也没有问题（实际的源极电流不是2mA，不过误差并不大）。
图4.16是采用P沟JFET和负TFP401APZP电源的源极跟随器电路。电路构成正好与使用正电源时的N沟JFET电路以接GND线为对称。
电路的设计方法与使用N沟JFET时完全相同。但是，对于P沟JFET必须注意VGS的极性力正。
为了设定源极电流（为了计算源极电阻的值），需要从数据表中求FET的VGS。不过这里使用的2 SJ105（东芝）的数据表中没有提供GR档产品的传输特性。
2SJ105与图4.15中使用的2SK330成互补对——电气特性相同的N沟和P沟对。所以VGS值就可以采用2SK330GR的值（当然极性是相反的）。因为图4.16与图4.15的源极电流相同，所以2SJ105GR的VGS也与图4.15相同，按0.9V计算源极电阻（因为源极电阻的值相同）。
由于该电路源极电阻的电压降比VGS大，所以设计时即使按VGS=O求源极电阻也没有问题（实际的源极电流不是2mA，不过误差并不大）。
电路的设计方法与使用N沟JFET时完全相同。但是，对于P沟JFET必须注意VGS的极性力正。
为了设定源极电流（为了计算源极电阻的值），需要从数据表中求FET的VGS。不过这里使用的2 SJ105（东芝）的数据表中没有提供GR档产品的传输特性。
2SJ105与图4.15中使用的2SK330成互补对——电气特性相同的N沟和P沟对。所以VGS值就可以采用2SK330GR的值（当然极性是相反的）。因为图4.16与图4.15的源极电流相同，所以2SJ105GR的VGS也与图4.15相同，按0.9V计算源极电阻（因为源极电阻的值相同）。
由于该电路源极电阻的电压降比VGS大，所以设计时即使按VGS=O求源极电阻也没有问题（实际的源极电流不是2mA，不过误差并不大）。
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