双极晶体管只有NPN和PNP两种类型，FET的分类TLP181GB/GR则稍微复杂。
    如图2.6所示，FET按照结构可以分为结型FET(JFET:Junction FET)和绝缘栅FET(MOSFET:Metal Oxide Semiconductor FET).
    按照电学特性，MOSFET又可以分为耗尽型(depletion)与增强型(enhance-ment)两类。它们又可以进一步分为N沟型（与双极晶体管的NPN型相当）和P沟型（与双极晶体管的PNP型相当）。
    从实际FET的型号中完全看不出JFET与MOSFET、耗尽型与增强型的区别。仪仅是N沟器件为2SKX××（也有双栅的3SK×××），P沟器件为2SJ×XX，以区别N沟和P沟器件。