图4.15是采用N沟JFET和负电源的TFP410PAP源极跟随器电路。即使用负电源也能够作成N沟JFET源极跟随器。使用负电源时基本的电路构成与图4.1的电路没有什么改变。与使用正电源电路的不同之处仅在于将正电源变为GND，将GND变为负电源。

    图4.15中，使用2SK330GR，并设定漏极电流JD=2mA。由2SK330GR的数据表中得到这时VGS=-1.5～0.3V。在计算电路常数时取其分散范围的中间值VS=-0.9V。
    为使电路简单起见，栅极电位设定为GND与负电位的中间值-7.5V，源极电阻为4.3kQ，所以设定ID=2mA(实际上，由于VGS值分散在-1.5—0.3V之间，所以ID也相应地存在分散值)。
    在使用负电源的电路中必须注意电解电容器的极性。图4.15中，认为输入输出端的直流电位为OV，所以耦合电容的极性是输入输出端一侧为正极性。当该电路前后还接续有其他电路时，要考虑所接续电路的直流电位来决定耦合电容的极性。