当把上述两种场效应管的基片（衬底）换成N型半导体，XC2C64A-7VQ44C源区、漏区和导电沟道改成P型，就分别得到增强型PMOS场效应管和耗尽型PMOS场效应管。为了便于比较和使用，现将4种类型MOS管的符号，特性曲线归纳列于表1.4.1中。（图中假定iD的正向为流进漏极）
    表1.4.1 4种类型MOS管的符号及特性曲线

         
    (1)为了表明是NMOS管还是PMOS管，管子符号中以衬底引线B的箭头方向来区分。
    箭头指向管内为NMOS管，指向管外为PMOS管。
    (2)为了表明是增强型管还是耗尽型管，在管子符号中，以漏源极之间的连线来区分。断续线表明Vcs =0时，管子D、s极间无导电沟道，为增强型；连续线表明VG。-0时，管子有导电沟道，为耗尽型。
    (3)从输出特性曲线和转移特性曲线可以看出，NMOS管和PMOS管外加电源电压极性是相反的，例如增强型NMOS管的栅源电压VGS应加正电压，而增强型PMOS管的栅源电压V(;S应加负电压。
    场效应管的主要参数如下：
    (1)跨导(9m)：指‰为某一固定值时，栅源电压对漏极电流的控制能力，定义为从转移特性曲线上看，跨导就是工作点处切线的斜率。
    (2)直流输入电阻(Rcs)：栅源电压与栅极电流的比值，其值一般大于10。Q。
    (3)漏极饱和电流IDSS：定义为当VcS =0时，在规定的VDS下所产生的漏极电流。此参数只对耗尽型管子有意义。
    (4)开启电压(VT)：增强型FET的参数。当VDS -定时，使管子导通的最小栅源电压。
    (5)夹断电压VP：耗尽型FET昀参数。当口·粥一定时，使管子截止的最小栅源电压。
    由于MOS场效应管的栅极与其他电极之间处于绝缘状态，所以它的输入电阻很高，可达109Q以上。因此，周围电磁场的变化很容易在栅极与其他电极之间感应产生较高的电压，将其绝缘击穿。为了防止损坏，保存MOS场效应管时，应把各电极短接，焊接时应把烧热的电烙铁断电或外壳接地。近年，生产出内附保护二极管的MOS场效应管，使用时就方便多了。