由图1.4.1(a)看出，NMOSFET的两个N+区被P型衬底隔开，XC2C64A-7VQ100I成为两个背靠背的PN结。在栅源电压VGS为零时，不管漏源电压VDs为何值，总有一个PN结是反向偏置的，因此漏极和源极之间不可能有电流流通。
    当把源极S和衬底B接地，并在栅、源极间加正电压GS，就会在栅极与衬底之间建立起一个垂直电场，其方向由栅极指向衬底，在此电场作用下，P型衬底中的少数载流子自由电子被吸引到栅极下面衬底的表层，形成一层以电子为多数载流子的N型薄层，这是一种能导电的薄层，它与P型衬底的类型相反，故称为反型层。反型层把源区和漏区连成一个整体，形成N型导电沟道，如图1.4.2(a)所示。VGS值越大，形成的导电沟道越宽，沟道电阻越小。这种在vcs一0时没有导电沟道，必须依靠栅源电压的作用才能形成导电沟道的FET称为增强型FET。图1.4.1(b)中所示的电路符号中，虚线即为沟道线，反映了增强型FET在vcs一0时沟道是断开的特点。

           
    导电沟遒形成后，在漏极(D)和源极(S)之间加上正电压VDS，就会产生漏极电流iD。使D、S极之间开始导电的栅源电压称为开启电压，用VT表示。

          
    由上述可见，MOS管的截止和导通是通过改变栅源电压VGS而实现的，所以MOS管是一种电压控制型导电器件；它在工作过程中只有一种极性的载流子参与导电，也称为单极型器件。
    漏源电压对导电沟道的影响
    当VGS≥VT，外加较小的VDS时，漏极电流如将随VDS的上升迅速增大，在输出特性上如图1.4.3(a)所示的OA段，曲线斜率较大。但随着VDS的上升，由于沟道存在电位梯度，所以造成沟道厚度的不均匀，靠近源端厚，靠近漏端薄，即沟道呈楔形。当啦增大到一定数值，使得VGD=VGS- VDS= VT时，靠近漏端的反型层消失，沟道发生预夹断，如图1.4.2(b)所示。但耗尽区中仍有电流通过。VDS继续增加时，增加的部分主要降落在夹断区，沟道上的电压基本不变，所以VDS上升，iD趋于饱和，这时输出特性曲线斜率为0，如图1.4.3(a)所示的AB段。