场效应晶体管也是一种三端半导体器件，其外形与普通三极管相似，XC2C64A-7VQ100C但与三极管相比，具有输入电阻高、噪声小、功耗低和热稳定性好等特点，因而在集成电路尤其是计算机电路的设计中应用广泛。
    场效应管根据结构的不同可以分为结型场效应管(Junction Field Effect Transistor，JFET)相绝缘栅型场效应管(Insulated Gate Field Effect Transistor，IGFET)两种类型，其中IGFET制造工艺简单、便于集成、应用更广泛，本书仅介绍IGFET。

            
    绝缘栅场效应管IGFET又称为金属一氧化物一半导体场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET)。按照制造工艺和性能的不同又分为增强型(enhancement MOS或EMOS)与耗尽型(Depletion MOS或DMOS)两大类，每类又有N沟道(channel)和P沟道两种导电类型，但它们的工作原理相同。
    N沟道增强型MOSFET
    图1.4.1(a)所示是增强型NMOS管的结构示意图，它是在一块P型半导体基片（又称衬底）上面覆盖一层二氧化硅绝缘层，在绝缘层上开两个小窗用扩散的方法制成两个高掺杂浓度的N+区，分别引出电极，称为源极（Source，用S表示）和漏极（Drain，用D表示）。在S、D两极之间二氧化硅绝缘层上面再喷一层金属铝，引出电极称为栅极G( Gate，用G表示)。在基
片（衬底）下方引出电极B，使用时通常和源极S桕连（有些管子出厂时，已在内部连接好）。由于此类管子的栅级(G)与源极(S)、漏极(D)之间都是绝缘的，故又称绝缘栅场效应管，图1.4.1(b)是它的电路符号。