(1)定点切割(precisional cutting):利川离子的物理碰樟来达到切割的冂的,SDB628泛应于集成电路(I(r)和I'(lI)的Cr°ss scction加丁和分析.

   (2)选择性材料蒸镀(selectivc(lcpositi。n):以离f束的能董分解有机金属蒸't rk't相绝缘材料,在局部lK域作导体或非导体的沉积,可提供金属和氧化层的沉积(n1etal andTE()S dep()si1ion),常见的伞属沉积有铂(latinum,Pt)和钨(Γungstun,W)工种.应明丁线路修补、没汁纠错等.

   (3)强化性刻蚀或选择忤刻蚀(enhanced ctching ic)dinc∷selec1ive etching Xe):辅以腐蚀忤气体,加速切割的效率或线路修补时做选择性的材料去除:IB也能够产二次电子。因此FIB也可以利27和1理同SEM电压衬度。聚焦离子束具有许多独特且重要的功能.已广泛地应体业,其特性在于能将以往在半导体设计、制造、检测Jt故障分析的许多困碓、耗时或根本尢法达成的闸题解决:例如线路修补和布局验证。组件故障分析/卜产线制程异常分析.IC制程监控-例如光阻切割.透射电子显微镜佯制作等 图112s为用FIB制备的TBM薄膜样品。