PEM方法快速、简便而PIC18F258-I/SP有效,具有准确、直观和重复再现的优点。正面PEM分析,除F暴露芯片表面外.无须特别样品制备。在合理的偏置条件下,对样品没有破坏性,不需真空环境,可以方便地施加各种静态或动态的电应力等。但随着芯片正面多层金属布线结构对电致光辐射的吸收和反射,正面PEM定位的成功率急剧下降,如埋层PN结、漏电失效点位于大块金属下方等。在深亚微米技术时代,绝大多数产品级的PEM定位需要背面分析.

   使样品制备,即暴露芯片背面但保持样品电学性能完整性成为不可或缺的一个环节,PEM定位不冉快速、简便。倒置封装器件,背面PEM定位成为唯一的选择。此外,PEM分析时。被测器件或失效线路常需处于失效状态时的激励状态,对复杂的产品级失效,分析实验室探针测试较难完舍模拟器件失效状态。此外,欧姆特性短路、金属互连短路、表面反型层和扩散电阻等缺陷产生的光辐射波长不在。T见光波范畴或信号太弱。最后,PEM探测的发光点并不一定是真正的失效点,而是一些结构由于所加偏置条件或设计等引起。此外,器件的功能异常使芯片内部某些节点处于特定的导致发光状态,在此情况下,发光点同失效点不一定重合,对后续破坏性物理分析的成功增加F很大的挑战性c分析时不仅要观察发光点处有无异常,还要有针对性地了解与亮点相关的内部线路,比如前级线路输出异常,导致后级线路的输人电平异常,使晶体管处于饱和状态而产忄i亮点。有鉴于此,在相同偏置条件下,好坏样品发光点比对,是光辐射显微技术定位的一个判断有效亮点的原则之一,常比无效亮点产生情况(即盯tifac1s)有:饱和状态下的双极型晶体管(satuⅢl【l hlDc,lar tran“s1()rs).模拟电路中饱和状态下的金属场效应品体管(M()SFETs Saturatcd anaIog M()s「ETs),工极管处于正向导通状态(Forward biased diodcs)。