第一步:采用研磨粒为氧化硅(SiO)的研磨液,去除大部分的氧化硅(Si()2)层,留下1Ⅱ000A至~9OQOA的氧化硅(s02)层在多晶硅门(poly)~h。QL4016-3PF100I

   第二步:采用研磨粒为氧化铈(Ceo2)的研磨液或固定研磨液抛光,研磨终止在氮化硅(SiN‘)上,类似于sTI CMP。由于氧化铈(Ceo2)的研磨液或固定研磨液抛光都有很高的选择比,能达到研磨白动停止的效果,因此有很好的均匀性。

   第三步:采用研磨粒为氧化硅(Si()2)的研磨液,去除氮化硅(sIN{),研磨终止在多晶硅(poly)上。

   在三步研磨法中,第=步是最有挑战性的一步,所涉及抛光材料比较复杂,要求同时 研磨氧化硅、氮化硅以及多晶硅∷种材料。研磨液很难达到均匀地研磨并白动终止在多晶硅(poly)上,另外,抛光选择比(氧化硅:氮化硅:多晶硅)的优化对凹陷纠正及多晶硅门的高度控制至关重要。