接近式光刻机是从接触式光刻机发展而来的,并且在⒛世纪70年代的SSI时代和MSI早期同时普遍使用。 M74HC03B1R这些光刻机如今仍然在生产量小的实验室或较老的生产分离器件的硅片生产线中使用,在那里更新设备在经济上不可行。它们适用于线宽尺寸为2~4um。

   在接近式光刻中,也是直接复制整个硅片图形,但掩模板不与光刻胶直接接触,而与光刻胶表面接近,在掩模板和硅片表面光刻胶之间留有2.5~25um的间距。光源产生的光是被准直的,这意味

着光束彼此平行。

   接近式光刻企图缓解接触式光刻机的沾污问题,它是通过在光刻胶表面和掩模板之间形成可以避免颗粒的间隙实现的。尽管间距大小被控制,接近式光刻机的工作能力还是被减小了。因为当紫

外光线通过掩模板透明区域和空气时就会发散(如图10七1所示是接近式光刻机上的边缘衍射和表面反射)。这种情况减小了系统的分辨能力,减小线宽关键尺寸就成了主要问题。