业界认识到需要远离任何形式的接触或接近光刻系统,因为它们存在沾污、边缘衍射、分辨率M74HC08RM13TR限制等问题,并且依赖操作者。⒛世纪70年代初期,扫描投影光刻机(也叫扫描光刻机)的发展试图解决这些问题。扫描投影光刻机在70年代末80年代初是占据主导地位的光刻设各。这些光刻机现在仍在较老的硅片生产线中使用。它们适用于线宽大于1um的非关键层。

   扫描投影光刻机(如图10-32所示)的概念是利用反射镜系统(基于反射的光学系统)把有1:1图像的整个掩膜图形投影到硅片表面。由于掩模板是1倍的,图像就没有放大和缩小,并且掩模板图形和硅片上的图形尺寸相同。

   紫外光线通过一个狭缝聚焦在硅片上,能够获得均匀的光源。掩模板和带胶硅片被放置在扫描架上,并且同步地通过窄紫外光束对硅片上的光刻胶曝光。由于发生扫描运动,掩模板图像最终被完全复制到硅片表面。

   扫描投影光刻机的一个主要挑战是制造良好的包括硅片上所有芯片的1倍掩模板。如果芯片中有亚微米特征尺寸,那么掩模板上也有亚微米特征尺寸。由于亚微米特征尺寸的引人,使这种光刻方法很困难,因为掩膜不能做到无缺陷。