光刻技术可利用可见光(Vi⒍ble)、近紫外光(Ncar Ukra Volet,NUV)、中紫外光(Mid UV,MUV)、深紫外光(Deep UV,DUV)、真空紫光外光(Vactttlm UV,VUV)、极紫外光(Extremc UV,EUV)、Ⅺ光(ⅪRay)等光源对光刻胶进行照射;或者用高能电子束(25~100keV)、 SDCL1005C18NJTF低能电子束(约100eV)、镓离子(Ga亠)聚焦离子束(10~100keV)对光刻胶进行照射。各光源的相关波长范围如图10△7所示。

   图1017 光学相关波长范围参考图

   紫外(UV)光源和深紫外(DUV)光源是目前工业上普遍应用的曝光光源。以UV和DUV光源发展起来的曝光方法主要有接触式曝光、接近式曝光和投影式曝光,如图1018所示。