在曝光过程的每一步,这种步进光刻机都会依次把投影掩模板图形通过投影透镜聚焦到硅片下一个位置并重复全部过程。通过继续这个过程,步进光刻机最终会通过连续的曝光步骤把所有芯片

阵列复制到硅片表面。 M74HC4060TTR由于步进光刻机一次只曝光硅片的一小部分(例如,对于一个较大的微处理器芯片,在硅片上一个曝光场内只有一个芯片),所以对硅片平整度和几何形状变化的补偿变得容易。

   步进光刻机使用传统的汞灯照明光源(对于G线波长是436nm,H线波长是4O5nm,I线波长是365nm),线宽可以小到0.35um。为了获得248nm深紫外波长的光源,汞灯被KrF准分子激光器所取代,使这种设备能够形成0.25um线宽的图形。通常深紫外步进光刻机用于形成关键层的图形,而传统的I线曝光方法用于非关键层。这种混合匹配式光刻方法用来减少生产成本。

   随着关键尺寸的减小和硅片尺寸的增加,提出了增大曝光场尺寸和改进光刻机光学系统的要求。这反过来要求更加复杂的光刻透镜的设计和制造,单个光刻机中透镜系统的费用就超过100万美元。这个费用把传统分步重复式曝光场范围限制为22mm×22mm。为了克服这些问题,一种进化的步进光刻机――步进扫描光刻机已经在0,25um及以下的深紫外光刻中占据主导地位。