经过前面的一系列I艺已将光刻掩模板的图形转移到光刻胶上。为了制作集成电路元器件,还 HAT2276R-EL-E要将光刻胶上的图形进一步转移到光刻胶下层的材料上。这个任务就通过刻蚀来完成。

    刻蚀就是将涂胶前所淀积的薄膜中没有被光刻胶(经过曝光和显影后的)覆盖和保护的那部分去除掉,达到将光刻胶上的图形转移到其下层材料上的目的。

    光刻胶的下层薄膜可能是二氧化硅、氮化硅、多晶硅或者金属材料。材料不同或图形不同,刻蚀的要求不同。刻蚀的简易流程图如图99所示,首先在硅上面沉积一层薄膜,然后在薄膜上面覆盖一层光刻胶并对光刻胶进行曝光形成图形,接下来使用光刻胶作为掩模板刻蚀薄膜,最后移去光刻胶。

   实际上,光刻和刻蚀是两个不同的加I工艺,但因为这两个工艺只有连续进行,才能完成真正意义上的图形转移,而且在工艺线上,这两个工艺经常是放在同一工序中,因此有时也将这两个步骤统称为光刻。刻蚀工艺的具体内容参见第11章。