光刻胶除了在光刻过程中作为从光刻掩模板到衬底的图形转移媒介外,还可以HAT3004RJ-EL-E作为刻蚀时不需刻蚀区域的保护膜。当刻蚀完成后,光刻胶已经不再有用,需要将其彻底去除,完成这一过程的△序就是去胶。此外,刻蚀过程中残留的各种试剂也要清除掉。

   在集成电路工艺中,去胶的方法包括湿法去胶和干法去胶,在湿法去胶中又分为有机溶液去胶和无机溶液去胶。

   使用有机溶液去胶,主要是使光刻胶溶于有机溶液中,从而达到去胶的日的。有机溶液去胶中使用的溶剂主要有丙酮和芳香族的有机溶剂。无机溶液去胶的原理是利用光刻胶本身是有机物的特点

(主要由碳和氢等元素构成的化合物),通过使用一些无机溶液(如H2SO{和H202等),将光刻胶中的碳元素氧化成为二氧化碳,这样就可以把光刻胶从硅片的表面上去除。不过,由于无机溶液会腐蚀川,因此去除Al上的光刻胶必须使用有机溶液。

    干法去胶则是用等离子体将光刻胶剥除的。以使用氧等离子体为例,硅片上的光刻胶通过在氧等离子体中发生化学反应,生成的气态的CO、C(D2和H20可以由真空系统抽走。相对于湿法去胶,干法去胶的效果更好,但是千法去胶存在反应残留物的沾污问题,囚此干法去胶与湿法去胶经常搭配进行。