制造( fabrication)：集成电路生产：过程．制造良品率( fabrication yield)：DIB9090M到达晶圆分拣处的晶圆数量Ljl_．-艺开始时的晶网数量的Fi分比特征图形尺寸( feature size)：器件中图形开[1或间距的最小宽度场效应晶体管（field-effect transistor）：包含源、栅、漏极的晶体管  其行为由从源极经过栅极流向漏极的多数载流f电流决定  电流由栅极卜的横向电场控制，参见单极晶体管场氧化物( field oxide)：电F器件中氧化物用来作为介质的区域最终测试( final test)：封装J：艺的最后一步。对封装好的芯片最后的测试．Fin场效应晶体管(FinFET)：具有堆起的“鳍”(fin)形的一种3D晶体管，它叮以提供比平面栅更人的栅面积快闪存储器（flash memorlt）：一种EPROM或EEPROM，具有成块擦除存储矩阵中教据的能力恒温区( flat zone)：管形炉中温度高度受控的区域。翻转芯片连接( flip-chip joining)：一种芯片或封装体的连接工艺。在芯片表面做连接的金属形成“凸点”，而芯片“翻转”后焊接在封装体七，也称为倒扣焊．前开口统一标准的匣（front opening unified pod）：在晶圆制造线卜使用的晶圆载片匣。为J-

维护晶圆洁净，它是一个微小环境并且与工艺设备匹配。

    四探针测试仪（four-point probe）：用来测量晶圆表面电阻的电测没备反应炉( furnace)：具备电阻加热元和温度控制器的工艺设备。在半导体1-艺中用来提供个受控的恒温环境。