虽然通过采用铝合金和阻挡层金属技术，电迁徙和共晶合金的限制已被缓解，HIP6004CB接触电阻的问题或许成为铝金属化的最终限制。金属系统的全面效果由电阻率、长度、厚度和全部金属和晶圆互连的总的接触电阻所决定。在简单的铝系统中，有两个接触：硅一铝互连和铝互连一压焊线。在具有多层金属层、阻挡层、填塞、多晶硅栅和导体及其他中间导电层的ULSI电路中，连接的数目变得非常大。全部单个接触电阻加起来可能主导金属系统的导电性（见图13.2），

   接触电阻受材料、衬底掺杂和接触孔尺寸的影响。接触孔尺寸越小，电阻越高。遗憾的是，U LSI芯片有更小的接触孔，并且大的f]阵列芯片表面可能占接触面积的80%7ii。这两项使接触电阻在VLSI金属系统性能中成为决定因素。铝硅接触电阻及合金问题已导致开始为VLSI金属化研究其他金属。与铝相比，多晶硅有更低的接触电阻，并用在MOS电路中（见图13.5）。这是传奇式的畦栅(silicon gate) MOS器件结构。

   难熔金属和它们的硅化物提供了低的接触电阻。有意义的难熔金属是钛( Ti)、钨(W)、钽( Ta)和钼(Mo)。当它们在硅表面被合金时，分别形成它们的硅化物(TiS12、WSi，、TaSi2和MoS12)，在20世纪50年代第一次提出将难熔金属用于金属化，但是由于缺乏可靠的淀积方法，使用它们的技术一直停滞。随着LPCVD和溅射工艺的开发，情况才发生了改变。

   所有的现代电路设计，尤其是MOS电路，使用难熔金属或它们的硅化物作为中间层（塞）、阻挡层或导电层。更低的电阻率和更低的接触电阻（见图13.6）使它们作为导电膜更具吸引力，但是杂质和淀积均匀性问题使它们作为MOS栅电极的吸引力降低。对此问题的解决方法是多晶硅化物和硅化物栅结构，它是在硅栅上做一个硅化物的结合、这种结构的细节将在第16章解释。