干法清洗：关于湿浸泡的方法已引起人们的兴趣，以及开RT9167A-25GB发蒸气( vapor)或气相(gaS-phase)清洗的思考对f清洗，晶圆暴露在清洗液或刻蚀液的蒸气中。氢氟酸／水的混合蒸气经证实叮用来去除氧化物，以过氧化物为基础的清洗液的气相取代物也已存在39。

   这-艺最终的梦想是完全的干法清洗和干法刻蚀。目莳，干法刻蚀（等离子体，见第9章）已经很完善地建立起来了．f法清洗正在发展之中。紫外( uv)臭氧可以氧化并光学分离晶片表面形成的污染物，．

   低温清洗：高压的二氧化碳( C02)或雪清洗( snc)w  cleaning)是一种新兴的技术（见图5. 29）  CO，从一个喷嘴中直接喷到晶圆

表嘶、与气体从喷嘴中喷出时，其压力下降从而导致快速冷却，然后形成C0。颗粒，或叫做雪花。相巨撞击颗粒的压力驱散表面

的颗粒并由气流将其携带走。表面的物理撞击提供r-种清洗作用。氩气的喷雾是另外一种低温清洗，、氩气相对较重。它的图5. 29  二氧化碳“雪”清洗（经Walter Krrn许可）较大原子在压力下直喷到晶片表面可以除去颗粒。

   一种结合了氧气和氩气的综合方法，称为低温动力( Cryokinetic)法。在压力下将气体预冷使其形成液气混合物并流入一个真空反应室中。在反应室中，液体迅速膨胀形成极微小的结晶将颗粒从晶片表面击走州1。