存储器的容量由能够存储的位的数量进行测量，一个lKb的RAM有1024个信息位的容量，1024是2的10次幂。1个64 Kb RAM宾

际上有65 536个信息位的容量。IR3088AMTR采用现有技术，更大的兆位级存储器（64和更高）将会大量生产。RAM容量增长的每一步都给晶圆工艺和良品率的提高造成了巨大的压力。以1977年IBM生产的64 Kb RAM作为半导体经营情况为例，芯片不久就出现在批发市场上，每个电路WL价格超过1 00美元。到1985年前，竞争和良品率的提高已经使它的价格降到每个电路不到1美元。

    图17. 11  静态RAM的结构

   铁电存储器( FERAM)：铁电材料（见第1 6章）在电容器中的使用使存储器比普通的SiCMOS技术的电容器速度更快|2。。它面临的挑战是把这一非硅技术同标准硅r艺集成为一体。