- 光刻胶检测2017/5/31 21:52:01 2017/5/31 21:52:01
- (1)厚度测量。M50-C90XSMD光刻胶胶层厚度是一项重要的工艺参数,I艺规范对其中心值和容差都有严格规定。胶层厚度测量普遍采用台阶测试仪、分光光度计,其他还有椭圆仪、SEM等,后者仅用于薄...[全文]
- 化学腐蚀法2017/5/31 21:43:34 2017/5/31 21:43:34
- 1化学腐蚀法化学腐蚀法是晶体缺陷的常规检测方法。对于各M36W0R6040T0ZAQT种缺陷已有多种成熟的腐蚀液配方。2.X射线形貌照相法用于检测位错、...[全文]
- 铜多层互连系统工艺流程2017/5/30 12:04:24 2017/5/30 12:04:24
- 铜多层互连系统是在集成电路技术进入0,18um时出现并发展起来的互连技术,目前已成为UI'SI最主要的互连系统。在以铜为互连导电层的镶嵌工艺,PAM2305AABADJ叉称为双大马士革(DudD...[全文]
- CMP设备和工艺基础2017/5/30 12:02:21 2017/5/30 12:02:21
- 超大规模集成电路的制备经过多次光刻、氧化等工艺,使得硅片表面不平整,台阶高,这样在进PAM2305AAB120行电连接时,台阶处的金属薄膜连线易断裂,且光刻难。需要通过平面化技术来解决这一问题。...[全文]
- 采用适当工艺方法淀积铝膜2017/5/29 17:11:53 2017/5/29 17:11:53
- 采用适当工艺方法淀积铝膜,如电子束蒸镀的铝膜,晶粒的优选晶向为(111),比溅射铝膜的MTF大2~3倍。M1TSVB1SHI铝膜结构对电迁移也有影响,“竹状”结构的铝膜引线比常规结构的M...[全文]
- 软刻蚀2017/5/29 16:57:34 2017/5/29 16:57:34
- “软刻蚀”是一种相对于微制造领域中占据主导地位的刻蚀而言的微图形转移和微制造的新方法。ICM7555ID总的思路就是把用昂贵设各生成的微图形通过中间介质进行简便而又精确的复制,提高微制作的效率。...[全文]
- TMAH对硅的刻蚀速率随着温度的升高而增加2017/5/29 16:56:11 2017/5/29 16:56:11
- 有研究表明,刻蚀硅时,当TMAH浓度在5%时,刻蚀表面有大量小丘出现,随着浓度的不断增加,ICM7555CD小丘的密度逐步降低,当浓度超过22%时,可以得到光滑的刻蚀表面。TMAH...[全文]
- 硅可用含氯等离子体刻蚀2017/5/28 15:04:16 2017/5/28 15:04:16
- 在铝中加人少量的铜或硅,是半导体工艺中常见的铝合金材料,因此硅、铜的去OPA2674I-14DR除也成为铝刻蚀时所须考虑的因素。如果两者未能去除,所遗留下来的硅或铜颗粒将会阻碍下方铝材料刻蚀的进...[全文]
- 反应气体2017/5/28 14:59:03 2017/5/28 14:59:03
- 在现在的半导体刻蚀制备中,大多数的干法刻蚀都采用CHF3与氯气所混合的等离子体来进行SiO2的刻蚀。CHF3有较佳的选择比。有时甚OPA2348AIDR至再加人少量的氧气来提高其刻蚀速率(囚为可...[全文]
- 刻蚀均匀性2017/5/28 14:54:25 2017/5/28 14:54:25
- 刻蚀均匀性是一种衡量刻蚀工艺在整个硅片上,或整个一批,或批与批之间刻蚀能力的参数。OPA2171AID均匀性与选择比有密切的关系,因为非均匀性刻蚀会产生额外的过刻蚀。保持均匀性是保证制造性能一致...[全文]
- 无掩膜光刻技术的两大研究方向为光学无掩膜光刻2017/5/27 20:38:09 2017/5/27 20:38:09
- 无掩膜光刻技术的两大研究方向为光学无掩膜光刻(Oulc・从NIaskle“htl△ography,⒍NIL)和带电粒子无掩膜光刻(C‰rgedParudeˇ%skle“Lltllo...[全文]
- X射线光刻胶2017/5/26 20:57:42 2017/5/26 20:57:42
- 由于X射线具有很强的穿透能力,深紫外波段的光刻胶对X射线的吸收率很低,只有少SC250-030数人射的X射线能对光化学反应做贡献,通常深紫外曝光的光刻胶在X射线波段灵敏度都非常低,其曝光效率要下...[全文]
- 彩色版制备技术2017/5/25 21:21:39 2017/5/25 21:21:39
- 彩色版是一种新型的透明或半透明掩膜,因有颜色,故俗称彩色版,它可克服超微粒干版缺陷多、ACT45B-510-2P-TL003耐磨性差及铬版针孔多、易反光、不易对准等缺点。彩色版的最...[全文]
- 掩模板的基本构造及质量要求2017/5/25 21:07:27 2017/5/25 21:07:27
- 以铬版为例,掩模板的基本构造如图105所示,其材质依据不同的使用需求,可选择不同的玻璃基片。A2003G目前随着工艺技术的精进,以具有低热膨胀系数、低钠含量、高化学稳定性及高光穿透性等特质的石英...[全文]
- 针孔2017/5/24 22:05:02 2017/5/24 22:05:02
- 在氧化层上,除了需要刻蚀的窗口外,在其他区域也可能产生大小在1~3um的细小孔洞。这些HAT3018R-EL-E孔洞,在光刻工艺中称为针孔。针孔的存在,将使氧化层不能有效地起到掩蔽...[全文]
- 在坚膜之后还需要对光刻胶进行光学稳定2017/5/24 21:44:13 2017/5/24 21:44:13
- 在坚膜之后还需要对光刻胶进行光学稳定。通过光学稳定,使光刻胶在干法刻蚀过程中的抗蚀性得到增强,HAT2209R-EL-E而且还可以减少在离子注入过程中从光刻胶中逸出的气体,防止在光刻胶层中形成气...[全文]
- 基本光刻工艺流程 2017/5/24 21:21:27 2017/5/24 21:21:27
- 把图像从掩模板上转移到衬底表面需要有多个步骤来才能完成(如图95所示是光刻工艺基本流程)。HAT2038RJ-EL-E特征图形尺寸、对准容忍度、衬底表面情况和光刻层数都会影响到特定光刻下艺的难易...[全文]
- LPCVD氮化硅薄膜在KOH水溶液中的腐蚀速率非常慢2017/5/23 21:30:30 2017/5/23 21:30:30
- 首先,简要介绍了真空系统的相关知识,如何获得真空度、如何测量真空度,为在真PMBF170空条件下进行的各单项工艺做了的必要的知识储备。然后,详细介绍了真空蒸镀和溅射两种P、①薄膜制各工艺的原理和...[全文]
- 常温下的磁控溅射薄膜台阶覆盖2017/5/23 21:06:16 2017/5/23 21:06:16
- 为改善溅射薄膜的保形覆盖特性,可以在衬底圆片上加载射频偏压,如果偏压足够大,圆片PIC18F8680-I/PT将被高能离子轰击,这将有助于溅射材料的再淀积,可以在一定程度上改善薄膜的台阶覆盖特性...[全文]
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