把图像从掩模板上转移到衬底表面需要有多个步骤来才能完成(如图95所示是光刻工艺基本流程)。 HAT2038RJ-EL-E特征图形尺寸、对准容忍度、衬底表面情况和光刻层数都会影响到特定光刻下艺的难易程度和每一步骤的工艺。

    一般的光刻工艺要经历底膜处理、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、显影检验、刻蚀、去胶、最终检验工序。下面依次介绍光刻工艺中各个步骤的简要过程,而图95中后面的刻蚀等I序将在第11章刻蚀技术中介绍。

   底膜处理

   硅片制造过程中许多问题都是由于表面污染和缺陷造成的,因此硅片表面的处理对于集成电路制造成品率非常重要。底膜处理是光刻工艺的第一步,其主要目的是对硅衬底表面进行处理,以增强衬底与光刻胶之间的黏附性。底膜处理包括以下过程。