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电阻性负载2019/7/19 21:32:36
2019/7/19 21:32:36
电阻性负载①控制角α=0°如图⒊7所示,在相应每相电压的过零处给对应的晶闸管加触发脉冲,此时的晶闸管相当于二极管,这时三相正反方向电流都全波导通,相当于一般的二相交流...[全文]
三相交流调压器2019/7/19 21:28:00
2019/7/19 21:28:00
三相交流调压器H57V2562GFR-60C三相交流调压器主电路有几种不同的接线形式,对于不同接线方式的电路,其工作过程也不同。下面介绍两种最常见的接线方式。负载星形...[全文]
​通用变换器桥的仿​真模型2019/7/19 21:06:45
2019/7/19 21:06:45
通用变换器桥的仿真模型H55S5122EFP-75M(1)通用变换器桥仿真模块的功能和图标通用变换器桥模块是由6个功率开关组成的三相桥式整流器模块。功率开关的类型和变...[全文]
有源逆变的条件2019/7/19 20:56:35
2019/7/19 20:56:35
有源逆变的条件通过上述分析,可归纳出整流器I作于有源逆变状态的条件如下:①整流(逆变)电路直流侧有直流电势,其极性必须与晶闸管导通方向一致;H55S2562NFR-6...[全文]
​有源逆变时能量的传递关系2019/7/19 20:55:04
2019/7/19 20:55:04
有源逆变时能量的传递关系在有源逆变状态,弄清交直流电源间能量的传递关系是非常重要的。H55S2562JFR-A3M整流和有源逆变的根本区别即在于能量的传递方向不同。以三相全控桥式电...[全文]
​强触发环节2019/7/18 21:50:29
2019/7/18 21:50:29
强触发环节L6205D如图223所示,强触发环节中的`36V交流电压经整流、滤波后得到50V直流电压,50V电源经R15对C6充电,B点电位为50V。当V:导通时,C6经脉冲变压器...[全文]
电感性负载加续流二极管2019/7/17 21:49:00
2019/7/17 21:49:00
电感性负载加续流二极管为了解决电感性负载输出电压下降和输出电压控制的问题,必须在负载两端反并联续流二极管,把输出电压的负波形去掉。电感性负载加续流二极管的电路如图24所示。H55S...[全文]
​单相半波可控整流器2019/7/17 21:42:06
2019/7/17 21:42:06
单相半波可控整流器单相半波可控整流器原理图及接电阻性负载时的工作波形如图22所示。H55S1G22MFR-A3在实际应用中,某些负载基本上是电阻性的,如电阻加热炉、电解和电镀等。电...[全文]
晶闸管中通过的电流波形2019/7/17 21:34:32
2019/7/17 21:34:32
晶闸管中通过的电流波形如图⒈68所示,求晶闸管电流的有效值、平均值、波形系数及晶闸管额定电流。H55S1G22MFP-A3额定电流为10A的晶间管能否通过15A的直流电流?...[全文]
​常用电力电子器件的仿真模型2019/7/17 21:27:32
2019/7/17 21:27:32
常用电力电子器件的仿真模型1晶闸管的仿真模型H55S1262EFP-75M(1)晶闸管的图标、符号和仿真模型晶闸管仿真模型由电阻R。n、电感L。n、直流...[全文]
​签页参数设定窗口中选项的意义如下2019/7/17 21:25:39
2019/7/17 21:25:39
签页参数设定窗口中选项的意义如下:①“Simulat0ntim卩栏为设置仿真时间,在“⒊aⅡtime”与“Stoptime”旁的编辑框内分别输入仿真的起始时间和停止时间,其单位是“...[全文]
mulink/PowerSYstem子系统的建立2019/7/17 21:20:41
2019/7/17 21:20:41
mulink/PowerSYstem子系统的建立在smulink的模块库里,有许多标准模块(如PID)是由多个更基本的标准功能模块封装而成的,VH55S1262EFP-60E其目的...[全文]
常用电力电子器件的仿真模型2019/7/17 21:10:44
2019/7/17 21:10:44
常用电力电子器件的仿真模型SImulink是一个模块图环境,用于多域仿真及基于模型的设计,支持系统级设计、H55S1222EFP-75M仿真、自动代码生成以及嵌人式系...[全文]
​全控型器件的过电压及过电流保护2019/7/16 21:53:52
2019/7/16 21:53:52
全控型器件的过电压及过电流保护1过电压保护(1)栅源间的过电压保护NT7168FG-00014对于功率MOSFET和IGBT来说,如果栅源间的阻抗过高,...[全文]
​基极驱动电路的形式2019/7/16 21:34:48
2019/7/16 21:34:48
基极驱动电路的形式(1)同定反偏互补驱动电路为了减小存储时间,加速BJT关断,常用固定反偏驱动以迅速抽出基区的过剩载流子。固定反偏互补驱动电路如图⒈37所示,晶体管V...[全文]
​电力电子器件的驱动电路2019/7/16 21:13:11
2019/7/16 21:13:11
电力电子器件的驱动电路驱动电路是电力电子器件与控制电路之间的环节,根据控制电路的输人信号提供足够的功率使电力电子器件在“断态”与“通态”之间进行转换,NT5CB64M16DP-CF...[全文]
绝缘栅双极型晶体管的主要参数2019/7/16 21:10:59
2019/7/16 21:10:59
绝缘栅双极型晶体管的主要参数①集射极击穿电压BLTcEl)它是IGBT集射极所能承受的最大电压值,是根据器件的雪崩击穿电压而规定的。NT5CB64M16DP-CF...[全文]
​双极型功率晶体管的主要参数2019/7/15 21:00:36
2019/7/15 21:00:36
双极型功率晶体管的主要参数①最高工作电压L6386ED013TRBJT的最高工作电压决定BJT承受外加电压的上限,也是BJT的重要参数。其中,B吮α)是集电极开路时射...[全文]
​二次击穿的过程和特点2019/7/15 20:58:41
2019/7/15 20:58:41
二次击穿的过程和特点BJT二次击穿,对其使用有严重的破坏性,分别代表BJT发射极为正偏压、L5985TR-LF5零偏压和负偏压时的二次击穿特性。现在以零偏压为例来分析二次击穿现象的...[全文]
晶闸管的派生器件2019/7/14 19:10:24
2019/7/14 19:10:24
晶闸管的派生器件(1)快速晶间管LM1117MP-5.0/NOPB快速晶间管(FastSwitcl△ingThyⅡstor,FST)的关断时间≤50us,常在较高频率...[全文]
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