全控型器件的过电压及过电流保护

   1 过电压保护

   (1)栅源间的过电压保护NT7168FG-00014

   对于功率MOSFET和IGBT来说,如果栅源间的阻抗过高,则漏源间电压的突变会引起极间电容耦合到栅极而产生相当高的L厂∞电压过冲,这一电压会引起栅极氧化层永久性的损坏。如果是正方向的u劲瞬态电压还会导致器件的误导通。应采取的措施有:

   ①为适当降低栅极驱动电路的阻抗,在栅源间并接阻尼电阻;

   ②有些型号的功率MOSFET和IGBT内部输人端接有齐纳二极管。

   (2)集射极或漏源极的过电压保护

   电路中有电感性负载,或回路中有等效电感时,当器件关断时,电流的突变会产生比电源电压高得多的集射极或漏源极的电压过冲,导致器件的损坏。对GTO、BJT、MOS「ET、IGBT应采取齐纳二极管钳位、二极管钳位或RCD缓冲电路等保护措施。

    2过电流保护

   全控型电力电子器件的热容量极小,过电流能力很低,其过流损坏在微秒级的时间内,远远小于快速熔断器的熔断时问,所以诸如快速熔断器之类的过电流保护方法对全控型电力电子器件来说是无用的。为了使全控型器件组成的电力电子装置安全运行,保护的主要方法是:对桥臂中两个器件进行桥臂互锁保护;检测电流方法进行保护等。单独使用任一方法都不能进行有效保护,只有各种方法综合应用才能实现全方位的保护。