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绝缘栅双极型晶体管的主要参数

发布时间:2019/7/16 21:10:59 访问次数:1293

   绝缘栅双极型晶体管的主要参数

   ①集射极击穿电压BLTcEl)

   它是IGBT集射极所能承受的最大电压值,是根据器件的雪崩击穿电压而规定的。 NT5CB64M16DP-CF

   ②栅射极额定电压UG$

   IGBT是电压控制器件,靠加到栅极的电压信号来控制IGBT的导通和关断,而u)凼是栅极的电压控制信号额定值。通常IGBT对栅极的电压控制信号相当敏感,只有电压在额定电压值很小的范围内,才能使IGBT导通而不致损坏。

   ③栅射极开启电压%(⑾

   它是指使IGBT导通所需的最小栅射极电压。通常,IGBT的开启电压△厂α tω为3~5,5V。

   ④集电极最大电流Ic・M

   它是指在额定的测试温度(壳温为25℃)条件下,IGBT所允许的集电极最大直流电流。

   ⑤集射极饱和电压LJlˉF(sat

   它是IGBT在饱和导通时,通过额定电流的集射极电压,代表了IGBT的通态损耗大小。通常IGBT的集射极饱和电压uⅡsttl为1.5~3V。

    




   绝缘栅双极型晶体管的主要参数

   ①集射极击穿电压BLTcEl)

   它是IGBT集射极所能承受的最大电压值,是根据器件的雪崩击穿电压而规定的。 NT5CB64M16DP-CF

   ②栅射极额定电压UG$

   IGBT是电压控制器件,靠加到栅极的电压信号来控制IGBT的导通和关断,而u)凼是栅极的电压控制信号额定值。通常IGBT对栅极的电压控制信号相当敏感,只有电压在额定电压值很小的范围内,才能使IGBT导通而不致损坏。

   ③栅射极开启电压%(⑾

   它是指使IGBT导通所需的最小栅射极电压。通常,IGBT的开启电压△厂α tω为3~5,5V。

   ④集电极最大电流Ic・M

   它是指在额定的测试温度(壳温为25℃)条件下,IGBT所允许的集电极最大直流电流。

   ⑤集射极饱和电压LJlˉF(sat

   它是IGBT在饱和导通时,通过额定电流的集射极电压,代表了IGBT的通态损耗大小。通常IGBT的集射极饱和电压uⅡsttl为1.5~3V。

    




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