曝光区套刻的3个参量及其在硅片套刻上的表现如图7.43所示。其实,对于曝光区, R010033600000000也有4个套刻参量,由于平移同网格的平移是重复的,所以一般不再专门将平移列在曝光区套刻中。加上放大率和旋转的非对称性,于是有如下10个光刻套刻线性参量:

   (1)网格参量(6个):

   平移(translation)Tx,TY;

   硅片旋转(wafer rotation)Rx9RY;

   网格放大率(ghd magniⅡcation).Vx,MY。

   (2)曝光区参量(4个):

   掩膜版旋转(reocle rotation,shot rc,tation)Rx dY;^

  掩膜版放大率(reticle magni伍cation,shot magnⅡication)Mx,.Vt・。