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ST 手机用音频功率放大器2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
意法半导体（stmicro）日前推出一款尺寸紧凑的d类放大器芯片，新产品是为新一代手机和其它的追求更高的输出功率同时节省电能延长电池使用寿命的产品专门设计的。在5v电压供电下...[全文]
安森美拓展ThermalTrak产品系列2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
安森美半导体（on semiconductor）推出thermaltrak(tm)输出晶体管新系列，具有内部偏置控制的独特功能。thermaltrak(tm)器件为用于高端和...[全文]
TI DTV用D类音频功率放大器2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
德州仪器 (ti) 宣布针对数字电视 (dtv) 推出两款最新的立体声 d 类音频功率放大器，该产品采用高效的 d 类工作模式，并具备业界领先的音频性能，如采用咔嗒/噼噗声抑...[全文]
基于协同学理论的数字水印检测技术研究2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
摘要：基于协同学理论，提出了一种新的数字水印检测算法。根据水印相关特性确定检测因子（序参量），将序参量代入由协同理论确定的演化方程中进行演化来检测水印。实验证明该算法具...[全文]
用LabVIEW测试电话系统用户环路集中测量系统的测试头2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
2004年11月18日17:31注：ni 2004全国有奖征文大赛获奖文章 应用领域：产品测试挑战：在有限的预算和时间内，设计一套高度集成、多功能、稳定可靠的自动测试系统用于...[全文]
漫谈失真2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
失真是一个令人害怕讨厌的词语， 大概是由于它的负面意义吧。一直以来，在电声产品上，失真都是一个重要的指针。 但对发烧友来说，失真的真正意义在哪？当一个讯号经过传输，...[全文]
Measurement Studio 介绍与应用2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
...[全文]
绝缘穿刺线夹在高层建筑中的工程应用2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
摘要：文章详细分析了高层建筑供电竖向干线系统的几种方式的综合对比，结合具体的工程实践，重点介绍了绝缘穿刺线夹在高层建筑中的应用。 关键词：母线槽 t接 绝缘穿刺线夹 力矩螺母...[全文]
编码风格 --- 与综合相关2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
1. 在描述组合逻辑时，在always块中要完备敏感列表2. 每个always的敏感列表中只存在一个时钟3. 在描述条件时，即if或者case中，完备所有分支4. 要对输出做...[全文]
编码风格 --- 注释2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
1. 在文件头列出文件名，作者，作者的email， 版本， 关键字，目的， 以及使用了多少个时钟，需要注意的内容2. 单行注释使用 // 而不用/*...*/3.每个功能模块...[全文]
IC前端设计工具2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
（1）代码输入： 语言输入： summit visualhdl summit ...[全文]
Synopsys工具介绍（一）2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
vcs vcs是编译型verilog模拟器，它完全支持ovi标准的verilog hdl语言、pli和sdf。vcs具有目前行业中最高的模拟性能，其出色的内存管理能力足...[全文]
反射超声波检测系统2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
另外一种键合界面空洞检测方法是超声波显微镜，是一种无损伤探测技术，广泛应用于各种材料检测[24，25]。超声波对于不同材料的界面反应非常敏感，对硅-硅界面存在的空洞很容易声学...[全文]
不同清洗液的亲水处理过程2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
硅片亲水处理前要进行化学清洗，亲水处理必须满足三个基本提条件：（1）亲水处理溶液具有氧化作用，使硅片表面生成本征氧化层形成羟基。（2）亲水处理溶液对硅片表面最好没有腐蚀作用。...[全文]
亲水处理的机理2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
从键合工艺与键合机理看出，室温下硅片的贴合对整个键合过程都有重要作用。硅-硅直接键合的预键合工艺是依靠两个硅片的短程作用力（如h键）把两个硅片拉在一起，然后经过高温退伙过程使...[全文]
硅片表面颗粒引起的空洞2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
如果硅片键合工艺不是在超净环境中进行的，则硅片表面会被尘埃、硅或硅的氧化物颗粒等沾污，沾污的颗粒是键合硅片产生空洞的主要根源之一。在室温预键合过程中，在键合硅片的表面，硅片围...[全文]
室温键合所需的平整度条件2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
对于表面粗糙度较大的硅片，因为有限的弹性变形会使界面产生空洞，甚至两个硅片键合失败，因此，键合对硅片的表面平整度有一定的要求。许多文献已经对室温键合晶片表面形貌及其接触机理进...[全文]
抛光硅片的表面起伏2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
硅-硅直接键合技术是利用分子间的短程作用力（如h键等）把两个硅片的表面拉在一起，硅片表面的好坏直接影响到键合界面分子之间的距离和接触面积的大小，从而影响了键合的情况，所...[全文]
硅-硅直接键合机制2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
对于抛光的硅片的表面，一般存在10~60å的本征氧化层，并且在亲水活化处理的过程中，表面也会由于强氧化剂的作用生成一层本征氧化层，所以抛光硅片与氧化硅片的键合过程...[全文]
硅-硅直接键合工艺2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
硅-硅直接键合技术就是将两个抛光硅片经化学清洗和活化处理后在室温下粘贴在一起，再经过高温退火处理，使键合界面发生物理化学反应，形成强度很大的化学共价键连接，增加键合强度而形成...[全文]
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