如果硅片键合工艺不是在超净环境中进行的，则硅片表面会被尘埃、硅或硅的氧化物颗粒等沾污，沾污的颗粒是键合硅片产生空洞的主要根源之一。在室温预键合过程中，在键合硅片的表面，硅片围绕颗粒发生变形，留下圆形的未键合区或空洞，如图2.6所示。根据颗粒尺寸的大小，又分两种情况讨论。

（1）：如图2.6(a)的情况，颗粒尺寸（半径h或高度h=2h）远大于硅片的厚度t_w（h<<t_w），并且未键合区半径r大于硅片的厚度t_w（2t_w<r）。另外，假设颗粒是刚性的，利用薄板的弹性小位移变形理论得出未键合区半径r的近似表达式^{[15, 16]}

如果硅片键合工艺不是在超净环境中进行的，则硅片表面会被尘埃、硅或硅的氧化物颗粒等沾污，沾污的颗粒是键合硅片产生空洞的主要根源之一。在室温预键合过程中，在键合硅片的表面，硅片围绕颗粒发生变形，留下圆形的未键合区或空洞，如图2.6所示。根据颗粒尺寸的大小，又分两种情况讨论。

（1）：如图2.6(a)的情况，颗粒尺寸（半径h或高度h=2h）远大于硅片的厚度t_w（h<<t_w），并且未键合区半径r大于硅片的厚度t_w（2t_w<r）。另外，假设颗粒是刚性的，利用薄板的弹性小位移变形理论得出未键合区半径r的近似表达式^{[15, 16]}