对于表面粗糙度较大的硅片，因为有限的弹性变形会使界面产生空洞，甚至两个硅片键合失败，因此，键合对硅片的表面平整度有一定的要求。许多文献已经对室温键合晶片表面形貌及其接触机理进行了研究。maszara^[9]考虑了表面形貌对接触点局域应力的影响。tong^[12]给出了室温下晶片接触界面缝隙封闭的条件。yu^[13]分析了接触表面的三维弹性应力场, 给出了发生室温键合的平整度条件. gui^[14]假设表面起伏具有高斯分布几率, 给出了估计实际接触面积和发生室温键合所需平整度条件的理论模型。韩伟华^[11]根据薄板弹性力学，给出了推导接触硅片表面缝隙封闭临界条件的简单过程。

对于表面粗糙度较大的硅片，因为有限的弹性变形会使界面产生空洞，甚至两个硅片键合失败，因此，键合对硅片的表面平整度有一定的要求。许多文献已经对室温键合晶片表面形貌及其接触机理进行了研究。maszara^[9]考虑了表面形貌对接触点局域应力的影响。tong^[12]给出了室温下晶片接触界面缝隙封闭的条件。yu^[13]分析了接触表面的三维弹性应力场, 给出了发生室温键合的平整度条件. gui^[14]假设表面起伏具有高斯分布几率, 给出了估计实际接触面积和发生室温键合所需平整度条件的理论模型。韩伟华^[11]根据薄板弹性力学，给出了推导接触硅片表面缝隙封闭临界条件的简单过程。