- 数模混合电路测试2017/6/2 22:18:25 2017/6/2 22:18:25
- 在我们实际使用的集成电路中,还有许多是将模拟信号作为输入,经传感器转变为数字信号进行处理或直接输出,或者以数字信号输人,变化为模拟信号输出。VES101M1CTR-0605L这样的数模混合系统的...[全文]
- 准静态电流测试分析法2017/6/2 22:09:11 2017/6/2 22:09:11
- 对CMOS电路,由于它结构上的二元性,实际证明功能测试与JrrⅪ测试相结合,VEJ331M1V1010-TR0比其他基于失效模型的测试图形更有效。分析CMOS电路的开路/短路错误可以知道:①对于...[全文]
- 研究器件失效机理,以利改进工艺2017/6/2 21:56:13 2017/6/2 21:56:13
- 研究器件失效机理,以利改进工艺。例如,器件失效的机理分析如下。①氧化层失效:薄氧化层的针孔、热电子效应。②层间分离:铝硅、VEJ101M1VTR-0607铜硅合金与衬底热膨胀系数不匹配;低氧时吸...[全文]
- 小剂量注入检测2017/5/31 21:56:25 2017/5/31 21:56:25
- 范围在1×10ll~5×10121ons/cm2的小剂量注入的均匀性MAX8655ETN和载流子分布的检测方法有二次注人法、MOS晶体管阈值电压漂移法、脉冲GV法和扩展电阻法等。...[全文]
- 自对准发射极和基区接触2017/5/31 21:19:31 2017/5/31 21:19:31
- 利用自对准技术实现发射区和基区的接触可以不需要进行两次光刻,而是直接自对准形成,M24C16-WMN6TP从而不存在光刻版之间的套刻问题,有效地减少了器件内部电极接触之n+多晶硅间的距离。双层多...[全文]
- 栅电极材料与难熔金属硅化物白对准工艺2017/5/30 12:13:07 2017/5/30 12:13:07
- 在常规的Cˇ0S技术中,nMOs和pM∞一般都采用重掺杂磷的ni型多晶硅作为栅电极材料。这时,山ΙOS为表面沟器件,而pˇ0S为埋沟器件。PAM3101AAA250但当器件沟道尺寸降到0.35I...[全文]
- 金属导电材料的选取2017/5/30 11:58:40 2017/5/30 11:58:40
- 除了要求低电阻率之外,还应抗电迁移能力强,理化稳定性能、机械性能和电学性能在经过后续工艺及长时间工作之后保持不变,最好薄膜淀积和图形转移等加工工艺简单、且经济,制备的互连线台阶覆盖特性好、PAM...[全文]
- 整个CELT法的加工过程分如下几个步骤2017/5/29 17:00:55 2017/5/29 17:00:55
- 整个CELT法的加工过程分如下几个步骤:①加I电极模板和被加工件的安装;IC-PST9336UR②加工探针位置粗调;③加工探针与被加I件之间的位置精调;...[全文]
- 刻蚀技术 2017/5/27 20:58:58 2017/5/27 20:58:58
- 在微电子芯片制造过程中,常常需要在硅片表面做出极微细尺寸的图形,而这些M93C66WMN6TR微细图形最主要的形成方式,是使用刻蚀技术将光刻技术所产生的光刻胶图形,包括线、面和孔洞,准确无误地转...[全文]
- 传统光学光刻及制版技术面临的挑战2017/5/25 21:30:13 2017/5/25 21:30:13
- 集成电路日前正处于由ULSI(甚大规模集成电路)而跨入GSI(巨大规模集成电路)的时代。以S29AL016D70TFI020作为微细化、高集成化先导的M(E(金属氧化物半导体)工艺和DRAM(动...[全文]
- 显影检验2017/5/24 21:45:25 2017/5/24 21:45:25
- 在显影和烘焙之后就要完成光刻掩膜工艺的第一次质检,通常叫显影检验。检验的日HAT2256R-EL-E的是区分那些有很低可能性通过最终掩膜检验的衬底,提供工艺性能和T艺控制数据,以及分拣出需要重做...[全文]
- 准直溅射技术2017/5/23 21:08:20 2017/5/23 21:08:20
- 准直溅射技术(如图⒏29所示),是在高真空溅射时,在衬底正上方插人一块有高纵横比孔的平板,PM6600TR称为准直器。溅射原子的平均自由程足够长,则在准直器与衬底之间几乎不会发生碰撞。因此只有速...[全文]
- 真空系统2017/5/21 18:08:52 2017/5/21 18:08:52
- 真空系统主要包括多级真空泵、各种阀OP07DN门、检测不同真空度范围的各种真空规及管路。真空蒸镀工艺要求真空室基压在高真空度范围,通常在104Pa以上。要获得这样高的真空度需要采用...[全文]
- 晶硅的导电特性与单晶硅也有所不同2017/5/20 21:38:13 2017/5/20 21:38:13
- 晶硅的导电特性与单晶硅也有所不同。在晶粒内部的掺杂原子和在单晶硅中一样是占据替位位置,有电活性;而晶界上的硅原子是无序状态,ACT364US-T掺杂原子多数是无电活性的,且晶粒/晶界之间的杂质分...[全文]
- 建立衬底表面反应剂的输运机制模型2017/5/18 21:29:29 2017/5/18 21:29:29
- 建立衬底表面反应剂的输运机制模型,如图76所示,常压和低压两种淀积情况时的输运机制有所不同。OP07DN在上述分析中对反应剂穿越边界层情况进行了介绍,即图76(a)和(b)中的①所示。而反应剂系...[全文]
- 表面浓度的确定2017/5/14 18:34:15 2017/5/14 18:34:15
- 表面浓度是在半导体产品设计或制造过程中,特性分析和模拟计算时经常要用到的又一个重要参数。如图521所示为同种分布函数情况下,R=码和Cs之间的关系。R3602DR-S表面浓度不同,杂质分布可以有...[全文]
- 氧化层中的电荷2017/5/12 22:06:33 2017/5/12 22:06:33
- 在二氧化硅层中存在着与制各I艺有关的正电荷。在sΘ2内和s/si()2界面上有4种类型的电荷(氧化层内电荷的种类和分布如图艹32所示):可动离子电荷Qu;S9S08DZ32F2MLC氧化层固定电...[全文]
- 电子线路模块2017/5/5 20:25:43 2017/5/5 20:25:43
- ⅤHRR的电子线路如图5-37所示。每个通道,包括备用件,各有一个独立的电子链路。硅光学探测器由偏置电源驱动。探测器GC5016-PB在地面环境温度下工作,与其有关的电子线路亦如此...[全文]
- 晶圆中测是主要的芯片良品率统计方法2017/4/30 19:54:18 2017/4/30 19:54:18
- 晶圆中测是主要的芯片良品率统计方法之一随着芯片的面积增大和密度提高使得晶网测试的费用越来越大！这样一来，芯片需要更长的测试时间以及更加精密复杂的电源、机G3N60B3械装置和计算机系统来执行测试...[全文]
- 对于晶体材料实际上可能有两个级别的原子组织结构2017/4/30 19:41:10 2017/4/30 19:41:10
- 对于晶体材料实际上可能有两个级别的原子组织结构。第一个是单个原子的组织结构、G30N60晶体里的原子排列为晶胞(unitcell)结构。晶胞是晶体结构的第一个级别。晶胞结构在晶体里到处墓复另·个...[全文]
热门点击
- F数和数值孔径
- 氧化层中的电荷
- 调制的分类
- 自对准发射极和基区接触
- 通常选用的是光子探测器中的光伏探测器和光
- 干涉条纹强度的分布表现为有偏置的正弦分布
- 晶硅的导电特性与单晶硅也有所不同
- 表面浓度的确定
- 晶圆中测是主要的芯片良品率统计方法
- 电子线路模块
IC型号推荐
- LSC508460B
- LSC509408CFN
- LSC509460CFN
- LSC509703CFU
- LSC509709FU
- LSC526102FK
- LSC526501DW
- LSC526514DW
- LSC526515DW
- LSC526526CDW
- LSC526532DW
- LSC526538P
- LSC526539DW
- LSC526541P
- LSC526542DW
- LSC526553DW
- LSC526555DWS
- LSC526579DW
- LSC526582DW
- LSC526610DW
- LSC526853PB
- LSC526853PBR2
- LSC526858FB
- LSC527736DW
- LSC527737DW
- LSC527748DWR2
- LSC527754DW
- LSC527756CDWR2
- LSC527765DW
- LSC527783CDWR2
公网安备44030402000607
