利用自对准技术实现发射区和基区的接触可以不需要进行两次光刻,而是直接自对准形成,M24C16-WMN6TP从而不存在光刻版之间的套刻问题,有效地减少了器件内部电极接触之n+多晶硅 间的距离。双层多晶硅自对准发射极和基区接触工艺流螽叠晷煲 程如图12-24所示。目前该技术已经非常成熟,广泛应用于高性能双极型集成电路的制各。

   ①在隔离完成之后,刻蚀去掉有源区的⒏O2,随后淀积一层多晶硅poM,重掺杂p型杂质硼,CⅥ⒐⒊o2。

   ②采用各向异性的干法刻蚀去除发射区上的二氧化硅和多晶硅;高温氧化使发射区窗口和多晶硅侧壁上形成一层二氧化硅,由于多晶硅的氧化速率较快,因此多晶硅上的氧化层较厚。

   ③干法刻蚀形成侧墙,侧墙用于隔离开基极和发射极,所以其厚度和质量非常重要。随后进行基区的硼注入;在发射区去除二氧化硅并清洗后.淀积多晶硅pol`并进行重n型掺杂,形成发射极,通过快速热退火,利用lDol`中杂质的外推形成发射区。从而实现白对准的发射极和基极接触。

   本章小结

   本章包括金属化与多层互连,CM(B集成电路△艺和双极型集成电路工艺等内容。在金属化与多层互连中介绍了形成欧姆接触的3种方法;布线技术和多层互连的材料、I艺等方面的关键问题及解决方法;铜多层互连I艺流程。在CMC)S集成电路工艺中,介绍了隔离、阱、薄栅介质、非均匀沟道、栅电极,以及源/漏技术与浅结形成的典型工艺技术;典型CMOs集成电路工艺流程。在双极型集成电路工艺中介绍了两种隔离工艺,典型双极型集成电路的工艺流程和多晶硅技术在双极型集成电路中的应用。