- 改变几何参数重新计算2016/12/29 20:58:53 2016/12/29 20:58:53
- 在进行某些I程设计时,需要对模型的某些参数进行修改,对其效果进行再评估,进而IC-PST572GMT-R得到较优方案。在Opera3D中,可以方便地直接修改建模时的某些参数,或者对某些参数指定一...[全文]
- 点场值计算设置对话框2016/12/29 20:50:05 2016/12/29 20:50:05
- 求空间某一线段上的场值。单击I具栏的Ficlds>如图4.1.38所示的线上场值计算设置对话框。在对话框中输入线段的定义参量。Buffer是用于存储计算场值的数据寄存器,可任意取名...[全文]
- 对话框左侧为刚刚设定的边界条件名称列表2016/12/28 19:45:31 2016/12/28 19:45:31
- 选择了该极板所有面后,在主窗口中单击鼠标右键,在弹出的快捷菜单栏中选择FaccProperties选项,设置该表面的特性参数,弹出如图4.1.11所示的对话框。表面属性设置对话框中...[全文]
- 体网格设置对话框2016/12/27 20:51:32 2016/12/27 20:51:32
- 先生成面网格,单击菜单栏命令Mode1一GenerateSurfaceMesh,弹出如图3.2,16所示的对话框,窗口中的内容与实体中网格划分参数的含义相同,只是这里是全局设置。M306N4FG...[全文]
- 模型显示2016/12/26 20:30:39 2016/12/26 20:30:39
- 后处理文件打开后形成如图3,1,32所示的窗口。窗口中显示的磁体为建模体网格生成时的1/8模型。单击工具栏的显示选择按钮调整显示形式,VCA820IDGSR弹出的模型显示设置对话框...[全文]
- 用波特图仪观察电压放大倍数的频率特性2016/12/23 20:18:56 2016/12/23 20:18:56
- 用波特图仪观察电压放大倍数的频率特性①增加波特图仪:单击虚拟仪表I具栏的波特图仪按钮,移动光标至电路窗口的右侧后单击,EL1501CM波特图仪图标出现在电路窗口中。②...[全文]
- 在电路窗口中放置元件2016/12/22 22:08:18 2016/12/22 22:08:18
- 在电路窗口中放置元件从元器件库中取出所需的所有元件放到合适的位置,如图G32所示。图中元件只是按照图C,31所示电路中的元件类型和数量取出放置,元件属性及所放置的位置和方向还有待修...[全文]
- NI MuItisim13的基本操作界面 2016/12/22 21:10:56 2016/12/22 21:10:56
- -、主窗口启动NIMulti⒍m13,弹出如图C.1(a)昕示的界面.即NIMultisim13的基本操作界面,该界面主要由电路丁作区、T具栏、仪器仪表栏、状态栏、仿真开关等组成。...[全文]
- CMOS集成电路的主要特点有2016/12/21 21:13:18 2016/12/21 21:13:18
- CMOS集成电路的主要特点有:(1）具有非常低的静态功耗。M1-65162-9在电源电压Vtsc=5V时,中规模集成电路的静态功耗小于100uw。(2)具有非常高的输...[全文]
- 垂直系统的【Positioll,旋钮和【Volts/DIV】旋钮的应用2016/12/18 19:26:46 2016/12/18 19:26:46
- 垂直系统的【Positioll,旋钮和【Volts/DIV】旋钮的应用①垂直【Positol△】旋钮作用G5920TP1U●此旋钮可调整所有通道(包括Math)波形的...[全文]
- 测试74LS194双向移位寄存器的逻辑功能2016/12/15 20:55:10 2016/12/15 20:55:10
- 测试74Ls194双向移位寄存器逻辑功能的电路图如图21.3所示。按图21,3和下面实验要求接线:FDG6321C(1)页D(CIR)、S1、S。、SI'、SR、D、C、B、A分别...[全文]
- Rs触发器组成无抖动的开关2016/12/15 20:40:34 2016/12/15 20:40:34
- 实验内容1,用基本RS触发器组成一个无FDC6330L抖动的开关(或称消除抖动开关)电路连接如图⒛,4所示,使用逻辑开关作为RD、sD端的控制输入。2....[全文]
- 测量差模电压放大倍数2016/12/11 16:27:46 2016/12/11 16:27:46
- 断开直流电源,将信号发生器的输出端接放大器输入端A,地端接放大器输人端B,构成GE24I18-P1J双端输人方式(注意:此时信号源浮地),调节输入信号频率F=1kHZ的正弦信号,输出旋钮旋至零,...[全文]
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- 中频电源的逆变器主要有并联逆变器和串联逆变器,串联逆变器输出可等效为一低阻抗的电压源,G2RL124VDC当两电压源并联时,相互间的幅值、相位和频率不同或波动时将导致很大的环流,以至逆变器件的电...[全文]
- 采用零电压扫频启动电路的中频电源不好启动2016/12/7 22:00:36 2016/12/7 22:00:36
- 故障现象:采用零电压扫频启动电路的中频电源不好启动。故障分析及处理:GD25LQ80BUIGR针对故障现象应对下述部位进行检查。(1)检查扫频起始频率选择得是否合适,...[全文]
- 区分硅晶体管与锗晶体管2016/12/1 22:08:56 2016/12/1 22:08:56
- 区分硅晶体管与锗晶体管将万用表拨至R×1k挡。对于PNP型管,黑表笔接发射极e,红表笔接基极b,给发射极接上正向电压。MAX202IPW锗管发射结正向导通电压σk=0.15~0.3...[全文]
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- 输人电阻和零电流。数字式万用表的输入电阻过低或零电流过高都会引起测量误差,EP1S10B672C6关键要看测量装置所允许的极限值是多少,即要看信号源的内阻大小。信号源阻抗高时应选择高输入阻抗、低...[全文]
- 我国政府高度重视半导体照明技术创新与产业发展2016/11/18 21:53:44 2016/11/18 21:53:44
- 半导体照明是21世纪最具发展前景的高新技术领域之一,将促进世界照明工业的转型及新兴照明产业的崛起,HMC199AMS8E成为转变经济发展方式、提升传统产业、促进节能减排、实现社会经济绿色可持续发...[全文]
- 最切实可行的陷阱分布描述方式是紧邻电子导带处的数学指数描述2016/11/15 22:16:00 2016/11/15 22:16:00
- 以上两个公式表明,这类材料的电流取决于材料的厚度。实际上,在高电压时,一般AD8539ARZ-REEL7注入的电荷载流子密度大于990,贝刂该电流定律就变得适用,它与欧姆定律之间存在偏差。相反,...[全文]
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