对CMOS电路,由于它结构上的二元性,实际证明功能测试与JrrⅪ测试相结合,VEJ331M1V1010-TR0比其他基于失效模型的测试图形更有效。分析CMOS电路的开路/短路错误可以知道:①对于任何的开路失效,需要两个测试向量,前一个在输出端产生一个逻辑0(1),后一个检验其是否能翻转;②对于任意短路错误,总有一些测试向量会产生一个由电源yn)至刂地的通路,这可以通过监视电源静态电流几))发现,也就是△lEQ测试。图14-16所示为一个p管短路的CM(B反相器及其电流、电压波形。

   图14-16 一个p管短路的CMOS反相器及其电流、电压波形

   CMOS电路电流监测的理论最早是由Le访在1981年提出的。比较图1416(b)中电路在正常情况下与出现短路失效时的电流变化,可以发现两者只有在过渡状态完成后有明显的区别。