- yield lcarning的第二个要素是测试2017/11/20 20:02:02 2017/11/20 20:02:02
- yieldleamingvchiclc与普通产品不同的地方在于,产品是designft,rfunction,而yieldlcamillgvehicle是dcsignfor(capturc)fad...[全文]
- 两类错误风险2017/11/19 16:59:46 2017/11/19 16:59:46
- 使用控制图要面对两类错误:(1)第一类错误:虚发警报(falsealarm)。过程正常,由于点子偶然超出界外,根据点出界就判异,于是就犯了第一类错误。通常犯第一...[全文]
- 反馈系统2017/11/18 17:03:18 2017/11/18 17:03:18
- 在系统检测成像全过程中,探针和被测样品间的距离始终保持在纳米量级,距离太SA2132大不能获得样品表面的信息,距离太小会损伤探针和被测样品,反馈回路(feedback)的作用就是在工作过程中,由...[全文]
- 量值的溯源、校准和检定2017/11/18 16:55:11 2017/11/18 16:55:11
- 1.量值溯源体系SA1117BH-1.2V通过一条具有规定不确定度的不间断的比较链,使测量结果或测量标准的值能够与规定的参考标准(通常是国家计量基准或国际计量基准)联系起来的特性,...[全文]
- 热载流子效应(HCl) 2017/11/17 21:40:14 2017/11/17 21:40:14
- 当集成电路的M(B器件,经过一段时间的下作,器件的电学性能会逐步退化。如阈值U2008B-MY电压(V|b)漂移.跨导(Gm)降低,饱和电流(Jdψ)减小,关态泄漏电流(Ii")升高,最后导致器...[全文]
- 半破坏性分析2017/11/16 20:55:50 2017/11/16 20:55:50
- 半破坏性分析:自动开封,镜检正常;电性验证:开封后电性能复测,再次证实器件失效;SI4435DDY-T1-GE3正面失效定位,采用PEM和OBIRCH技术;背面失效定位,分别对好坏样品进行PEM...[全文]
- OBIRCH等雷射技术常用于后段金属互连线的短路2017/11/15 20:11:43 2017/11/15 20:11:43
- >的阻值高等失效问题的诊断;之前的铝互连技术制程中,这种诊断技术非常成熟,TJA1040T/N1非常实用.特别是针对金属层问接触孔类的缺陷诊断;在铜Ⅰ连技术制程中.从实验中看出,对于同层金属互连...[全文]
- OBIRCH热点域处找到的缺陷2017/11/14 21:08:13 2017/11/14 21:08:13
- 图14.12给出了在OBIRCH热点域处找到的缺陷,其中:图11.12(a)热点位置的TEM图片,P89LPC935FA下层铜金属与Via的界面处缺陷很明显,连接不良;下层铜的保护层氮化硅也有破...[全文]
- 鉴别失效模式/失效现象的观察和判定2017/11/13 20:20:42 2017/11/13 20:20:42
- (1)外观检测:肉眼,立体显微镜,低、高倍光学显微镜观测,扫描电镜/能谱观测(如果需要化学成分分析)。SY88903ALKGTR(2)机械损伤、腐蚀、管脚桥接、处于引脚之间的封装表...[全文]
- DFM展望2017/11/12 17:13:48 2017/11/12 17:13:48
- 那些违反了一系列保证Il艺窗冂原则的图肜或者包含不同图形的一个lx域被称作DFM热点。SY88903ALKGTR如图13.12所示,把精确的模型嵌人到能够模拟铜互联拓扑形貌的计算机程序中,DFM...[全文]
- 金属硅化物对MOS电性参数的影响 2017/11/12 16:45:32 2017/11/12 16:45:32
- 金属硅化物(salicide)使用在栅极、源极和漏极上,可有效降低MOs的串联电阻,并进一步增加MOS操作的速度。在Q。25um以上的制程是以Tisalicide为主,90n”以上的技术节点使用...[全文]
- 超浅结对MOS电性参数的影响 2017/11/12 16:41:08 2017/11/12 16:41:08
- 超浅结(ultraˉshallowjunction)是指对源极和漏极PN结深度的处理。R05107ANP-021为了对应横向制程微缩所带来的严重的短通道效应,结的纵向深度也必须进行...[全文]
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- 集成电路的设计十分复杂,动辄使用数百万到数十亿个逻辑闸数量(gatccounO,每一RLF7030T-3R3M4R1个逻辑门和其他器件的电性参数必须同时达到标准,否则丿小片可能无法止常运作。一片...[全文]
- 主流阻挡层研磨液的主要成分及作用2017/11/11 17:46:49 2017/11/11 17:46:49
- 对于第三步阻挡层抛光,去除速率、抛光选择性的调整能力、表面形貌修正能力以及抗腐蚀和缺陷控制能力等,都是先进工艺中对理想阻挡层研磨液的基本要求。Q22FA23V0017000阻挡层抛光研磨液分为酸...[全文]
- 颗粒量测2017/11/10 22:03:14 2017/11/10 22:03:14
- 光散射技术被I业界广泛用于测量平面晶片表面的颗粒污染。方法是被检测的晶片在聚焦激光束下旋转,OB3330CP大体上可形成一个反应晶片表面特点的螺旋状图案4:1。当激光束投射到一颗缺陷上,一少部分...[全文]
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