超浅结(ultraˉshallow junction)是指对源极和漏极PN结深度的处理。R05107ANP-021为了对应横向制程微缩所带来的严重的短通道效应,结的纵向深度也必须进行向上调整,以减少源极和漏极问空乏区互相接触所带来的漏电流(su卜threshold leak),这个过程中通常伴随掺杂浓度 的提升以弥补因结变浅所带来的串联阻值的增加。

   逻辑电路所使用的源极和漏极junction包含两个部分,=为1'DD(Iightly DooedDrain),一为Nˉ或P(见图12.3)。1'1)D是指在spaccr下面一个比较浅的junction,主要是用来控制通道内的电场分布和强度以抑制热电子效应(hot carricr effect)。随着制程的演进,I'DD的深度在65nm以下也已达到⒛0A左右,ml所用的浓度与N_/P相比也不遑多。