2009年阿斯麦公司的埃尔法验证机的硅片图像
发布时间:2017/11/1 19:43:55 访问次数:342
在图7,111中展示了2009年阿斯麦公司的埃尔法验证机的极限图像。其中密集线条可以分辨至28nm半周期(Half Pitch,HP)。到F26nm半周期,图像开始明显变差。极紫外光刻吸引注意的原l,xj如下:O39.5000MHZ-JC08-3-B
(1)单次曝光,速度潜力比193nm浸没式的快1倍。
(2)波长短,不需要进行克服衍射效应的光学邻近效应修正。
(bl26nm半周朋 (c)32nm接触孔在动态随机
存储器图形的硅片图像
图7.111 2009年阿斯麦公司的埃尔法验证机的硅片图像
在图7,111中展示了2009年阿斯麦公司的埃尔法验证机的极限图像。其中密集线条可以分辨至28nm半周期(Half Pitch,HP)。到F26nm半周期,图像开始明显变差。极紫外光刻吸引注意的原l,xj如下:O39.5000MHZ-JC08-3-B
(1)单次曝光,速度潜力比193nm浸没式的快1倍。
(2)波长短,不需要进行克服衍射效应的光学邻近效应修正。
(bl26nm半周朋 (c)32nm接触孔在动态随机
存储器图形的硅片图像
图7.111 2009年阿斯麦公司的埃尔法验证机的硅片图像
上一篇：极紫外光刻
相关技术资料- 11-12009年阿斯麦公司的埃尔法验证机的硅片图像
- 相关IC型号
- O39.5000MHZ-JC08-3-B
- 暂无最新型号
公网安备44030402000607
