光散射技术被I业界广泛用于测量平面晶片表面的颗粒污染。方法是被检测的晶片在聚焦激光束下旋转,OB3330CP大体上可形成一个反应晶片表面特点的螺旋状图案4:1。当激光束投射到一颗缺陷上,一少部分的人射光将向各个方向散射。一般来说,缺陷越大,散射的光就越强。通过这种方法,就可统计晶片上的所有缺陷。散射光强超过平均背景光的缺陷点被称作光点缺陷(I'PI)s),基于使用散射聚苯乙烯乳胶球(PI'S)制作的校正曲线,表面检测技术可报告出晶片表面缺陷浓度和那些缺陷的PLS等同直径分布。KLA Tencor Surfscan系列是I业界最常用的系统,如最先进的系统sP2,在极其平坦的晶片表面上可计数小到40nm的颗粒。

   有图案的晶片缺陷可通过光散射技术或光反射技术检测。为了检查局部Fx域的缺陷,有时需要高放大率,而扫捕电子显微镜(SEM)或穿遂电子显微镜(TEM)常被用到。