- 在从300 mm晶圆转向450 mm晶圆的成本预计为2015/11/12 19:53:29 2015/11/12 19:53:29
- 在从300mm晶圆转向450mm晶圆的成本预计为：制造区面积增大30u/o—100%，没备HY29DL163TT-70成本增加20%～50%，“束流”设备（更长的加工时间）增加10%~30%和耗...[全文]
- 铝铜合金2015/11/8 18:45:45 2015/11/8 18:45:45
- 铝还会遭遇所谓电迁徙(electromigration)的问题。，在VLSI/ULSI电路中，HIP1011CB铝导线比较细长，而且经常承载很高的电流，这时就会发生问题。电流在导线内部产生一个电...[全文]
- 金属有机物CVD2015/11/7 22:24:35 2015/11/7 22:24:35
- 金属有机物CVD(MOCVD)是化合物CVD中较新的选择之一。VPE是化合物淀积系统，GLP-401而MOCVD是指用于VPE和其他系统中的源。在MOCVD工艺中，淀积期望的原子和复杂的有机气体...[全文]
- 定义PN结2015/11/6 19:31:27 2015/11/6 19:31:27
- 学习完本章后，你AD7548KP应该能够：1．定义PN结。2．画出完整的扩散工艺流程图。3．列举用在硅技术中的3种最常用掺杂剂。4．列举3...[全文]
- 束流扫描2015/11/5 18:40:36 2015/11/5 18:40:36
- 离子束流比晶圆有更小的直径（约为1cm）。若要以均匀掺杂覆盖整个晶圆，AD7003AR就要用束流对晶圆扫描。可使用3种方法：束流扫描、机械扫描和快门，可采用任意一种或多种组合。束流...[全文]
- 反差增强层2015/11/4 22:12:47 2015/11/4 22:12:47
- 光学投影系统的分辨率由于镜头和光线波长的限制，已经接近极限。ADS7867IDBVR正是这两个极限因素的存在，使得光刻胶的反差阈值(contrastthreshold)也变得很重要，由于使用紫外...[全文]
- 其他解决方案及其挑战2015/11/3 19:54:15 2015/11/3 19:54:15
- 第8章已针对图形分辨率和曝光光线波长的关系做了详细说明。一般来讲，NCP305LSQ09T1如果想要得到尺寸更小的图形，就需要使用波长更短的光源。然而，这将导致景深的缩短。在0.5ym以下的工艺...[全文]
- 电子束或直写2015/11/3 19:43:12 2015/11/3 19:43:12
- 电子束光刻是一种成熟的技术，它被用来图10.5x射线曝光系统制作高质量的掩模版和放大掩模版。该系统（见图10.6）主要包括能产生小直径电子束的发射器和一个控制电子束开关的抑制器。习10.6电子束...[全文]
- 光刻胶的存储和控制2015/10/30 22:29:12 2015/10/30 22:29:12
- 光刻胶是一种精细的高科技混合物。它们的生产是高精度的。一旦一种光刻工艺被开发，ADA4860-1YRJZ-RL7它的持续成功是靠对工艺参数日复一日的控制和产生恒定的光刻胶产品。提供光刻胶批与批之...[全文]
- 氧化源2015/10/29 20:21:52 2015/10/29 20:21:52
- 干氧：当氧气被用做氧化剂时，它由厂房设施供应或由靠近气体柜的压缩氧气罐供应。OP285GS气体必须是干燥的，不能有水分。，氧气中的水分可以加快氧化速度，使得氧化层厚度超出规定范围（例如，out-...[全文]
- 非常薄的MOS栅极氧化生长是高压氧化工艺的候选2015/10/29 20:20:46 2015/10/29 20:20:46
- 非常薄的MOS栅极氧化生长是高压氧化工艺的候选。薄氧化层必须要结构完整（没有孔等）。OP179GRT足够强的电介质可以防止在栅区的电荷积累。在高压氧化中生成的栅极比在常压时生成的栅极绝缘性强24...[全文]
- 高压氧化2015/10/29 20:19:21 2015/10/29 20:19:21
- 热预算问题推动r高压氧化的发展。晶圆中位错的生长和在晶圆表面层中开f】的边缘二是由于氰产生的错位高温氧化的丽个问题。在第一种情况下，位错OP113F造成r器件性能的各种问题；在第二种情况下，表面...[全文]
- 器件绝缘体（MOS栅）2015/10/28 20:44:24 2015/10/28 20:44:24
- 从另一个角度讲，感应现象就是MOS技术。在一个MOS晶体管中，K4H561638H-UCB3栅极区会长一层薄的二氧化硅（见图7.4）。如果栅上没有电荷，在源漏之间没有电流流过（见第16章）。但是...[全文]
- 晶圆中测2015/10/25 17:50:49 2015/10/25 17:50:49
- 在晶圆制造完成之后，STM8S003F3P6接下来是·步1E常重要的测试步骤：晶圆中测这步测试是晶圆牛产过程的报告+-存测试过程中，检测每一个芯片的电性能和电路功能晶圆中测又称为芯片分选(dic...[全文]
- 电缆线路在隧道、管、沟内敷设的要求2015/10/21 19:42:45 2015/10/21 19:42:45
- 电缆隧道、管、沟应畅通，排水良好，金属部分的防腐层完整，隧道内照明，HDMP-1032AG通风符合要求。电缆沟的砌筑应考虑分段排水，沟底应有良好的散水坡度，沟的盖板一般用钢筋混凝土盖板，室内经常...[全文]
- 施工项目成本控制的方法较多2015/10/18 19:48:49 2015/10/18 19:48:49
- 施工项目成本控制的方法较多，可以从降低成本，增加收入两方面着手，确保项目成本目标的实现。①控制工程直接成本。EP1C4F324C6N工程直接成本主要是指在施工项目中发生的人工费、材...[全文]
- 接触电阻2015/10/14 19:58:01 2015/10/14 19:58:01
- 电气连接中的接触电阻是指两个接触导体在接触部分产生的电阻，引起接触电阻增加的原因有①电气连接安装工艺不当。EP1K100FI484-2N在连接安装过程中，错误使用砂纸打磨连接体的接...[全文]
- 路灯杆内装有断路器或熔断器2015/10/13 21:08:12 2015/10/13 21:08:12
- ①路灯杆内装有断路器或熔断器，又接专用PE线，对杆内发生的短路和碰杆起保护作用。EP1AGX90EF1152I6N配电柜内的断路器，计算和选型要正确，对杆内电源引入处短路，碰杆均要起保护作用。...[全文]
- 导线截面积及类型的选择2015/10/13 20:56:19 2015/10/13 20:56:19
- 照明系统的特点是线路较长，线路上的电流不一定很大。选择电缆截面积时载流量的要求很容易得到满足，而重点要考虑的是线路电压降问题。EP1AGX60CF484C6N解决线路电压降问题的方法就是适当加大...[全文]
热门点击
公网安备44030402000607
