- 频率特性好的理由2012/5/13 18:00:55 2012/5/13 18:00:55
- 与共发射极电路相比较，通常共基极FM25V10-GTR电路的频率特性要好些。图6.7是考虑到晶体管内部存在的电阻和电容成分而画出的共基极放大电路。若单纯地考虑，由于非反转放大，晶体管本身的输入电容C...[全文]
- 拓宽频率特性2012/5/12 20:40:56 2012/5/12 20:40:56
- 本章对共基极放大电路进行实验。使用双FM25L16B-GTR极晶体管的放大电路的基础是在第2章介绍的共发射极放大电路。然而，在该电路中，不是由基极输入信号，而是将在发射极出现的与输入信号一样的信号，...[全文]
- 功放级射极跟随器的设计2012/5/12 20:18:23 2012/5/12 20:18:23
- 在图5.10中，空载电流分别FM25640B-GTR取为lOmA，Tr4与Tr6的基极电流是它的hFE分之一，取为lOOtiA。在达林顿晶体管的Tr2与Tr3申，以它10倍以上的集电极电流流动，使...[全文]
- 偏置电路的参数确定2012/5/12 20:15:58 2012/5/12 20:15:58
- 将发射极跟随器的偏置电路FM25040C-GTR抽出来表示在图5.12中。该偏置电路本身与第4章设计的0.5W功率放大器相同，是将发射极跟随器中使用的晶体管Trz～Tr7与偏置电路用的晶体管Tr...[全文]
- 决定热沉的大小2012/5/12 19:58:23 2012/5/12 19:58:23
- 决定热沉大小的工作是应用非常FM24CL64B-GTR复杂的公式进行计算的，有些麻烦。但是在ryosan公司的散热器产品目录上，给出热沉本体的热阻和它的包络体积——即轮廓所占有体积的关系曲线图。利用...[全文]
- 并联连接时电流的平衡是至关重要的2012/5/12 18:50:58 2012/5/12 18:50:58
- 图5.5是对前面讨论的达林顿射FM24CL04B-GTR极跟随器进行并联连接的电路。与其说该电路的最大输出电流为Tr，与Tr。的电流值之和，不如说将必要的输出电流由Tri与Tr2来分担。...[全文]
- 射极跟随器的偏置电路2012/5/11 20:02:39 2012/5/11 20:02:39
- 如图4.4所示，为了省略耦合电容，射极跟FM20L08-60TG随器的偏置电路插在共发射极电路的晶体管Tri的集电极与负载电阻R3之间。在图4.7中，表示偏置电路各部分电压与电流的关系。这里选用...[全文]
- 功率放大电路的关键问题2012/5/11 19:46:56 2012/5/11 19:46:56
- 本章对声频放大器进行实验。为了使扬声器发声，人们想制11FB-05NL作声频功率放大器。最近，能够容易地买到输出功率甚至达到100W的、集成在一个管壳内封装的IC。功率放大器会随着输出功率的增大而...[全文]
- 使用正负电源的推挽型射极跟随器2012/5/10 21:39:10 2012/5/10 21:39:10
- 图3.19是使用正负电源的推挽型射极跟随器。该电路是将图3.8所示的推挽射极跟随器进行双AU6850B电源化后的电路。由于进行了双电源化，输入端的直流电位为OV。此外，利用基极偏置电路的二极管，...[全文]
- 噪声及总谐波失真率2012/5/10 20:24:59 2012/5/10 20:24:59
- 图3.12表示输入端与GND短路测得570BILFT的输出端噪声频谱。在数kHz附近为-140dBV(O.ltiV)。如与第2章介绍过的共射极放大电路的噪声频谱作一比较，则噪声减少5dB左右。...[全文]
- 输入输出阻抗2012/5/10 20:07:00 2012/5/10 20:07:00
- 设输入信号第2章图2.14的TL431BCDBZR同样方法，令Rs一5kQ，此时弘与V的波形表示在照片3.5中。看一下照片就知道，所以电路的输入阻抗Zi为5kCl。这个值就是Ri与R2相并联连接的...[全文]
- 电路设计2012/5/10 19:56:45 2012/5/10 19:56:45
- 下面表中表示图3.1电路的设计规格。这是除了AT45DB321D-MU最大输出电压及电流之外，没有特别规定的简单规格表。求各部分的电压和电流的方法与第2章介绍过的共发射极放大电路完全相同。确定电源...[全文]
- 确定耦合电容Cl与C2的方法2012/5/9 19:27:35 2012/5/9 19:27:35
- Cl与C2是将基极或集电极的直流AOTF8N60电压截去仅让交流成分进行输入输出的耦合电容，但是如图2.11所示，C，与输入阻抗、Cz与连接在输出端的负载电阻分别形成高通滤波器——仅让高频通过的滤...[全文]
- 基极偏置电路的设计2012/5/9 19:24:08 2012/5/9 19:24:08
- 设发射极电阻RE的压降一发射STF7NM60N极电位，为VE=2V，由于VBE一0.6V，所以基极电位VB必须是2.6V(=2V+O.6V)。由于基极电位是由R．与R2对电源电压进行分压之后的电...[全文]
- 确定发射极电流的工作点2012/5/9 19:16:59 2012/5/9 19:16:59
- 接着是设定工作点。晶体管的性能，特别是OPA2244EA频率特性随着发射极电流（或者集电极电流）变化而产生很大变化。在图2.9表示2SC2458的频率特性与发射极电流的曲线图。fT称为晶体管的特征...[全文]
- 进行工艺技术攻关，保证产品可靠性2012/5/8 19:11:45 2012/5/8 19:11:45
- 一些故障统计资料表明，产品故TDA7240A障中有10%～20%是由于生产的原因造成的。因此，一个产品仅有好的设计是不够的，优化工艺设计和生产技术等，是保证实现产品设计可靠性的关键。在进行技术攻关工...[全文]
- 封装环境与气氛的可靠性控制要求2012/5/7 19:54:14 2012/5/7 19:54:14
- 为了防止有害气体侵入器件内部，一般密MAX4003EUA+T封封装操作环境要求在洁净和干氮或其他惰性气体的气氛中，并且气体纯度及露点应符合要求。密封性对可靠性的影响与控制要求密封的作用在于防止罩...[全文]
- 零部件参数的控制要求2012/5/7 19:41:50 2012/5/7 19:41:50
- 声表面波器件的零部件IRFB4410ZPBF主要是外壳，标准外壳底座材料主要有可伐的4J42铁镍合金或KOVAR合金，以及氧化铝陶瓷；主要有储能环焊外壳、平行缝焊外壳和无引线片式载体外壳等几种。外...[全文]
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