在图5.10中，空载电流分别FM25640B-GTR取为lOmA，Tr4与Tr6的基极电流是它的hFE分之一，取为lOOtiA。
    在达林顿晶体管的Tr2与Tr3申，以它10倍以上的集电极电流流动，使得先前的基极电流可以忽略。在此，为让更多的电流流动而取为5mA。
    这样，Rv必须维持两个VBE的电压即1.2V。所以取Rv =1.2Vl5mA=200fl。
    为防止两组晶体管电流不平衡的是基极电阻，过小，则完全不起作用；过大，又会导致在最大输出时不能确保V BE而会发生失真。
    由于无信号时的基极电流是数百微安，非常小，所以稍许取大些的阻值47Cl,。
    发射极电阻也取同样大小的值，可以保护因电流集中等因素而引起的晶体管的损坏。然而，功率损耗又会变大。综合考虑取为0. 22fl。
    关于发射极电阻的功率，如果晶体管损坏，处于短路状态，则电源电压完全加在发射极电阻上，在电源上能流过的电流就会在发射极电阻上流动。
    设电源的最大电流容量为2A，则发射极电阻必要的功率为f2×R=22×0.22一0.88(W)。在这里使用承受功率大的、不燃烧的电阻，这就是1W的水泥电阻。
    关于功率晶体管驱动用的晶体管Tr2，因电流最大为26mA，约加上17V的电压，所以Pc≈0. 44W，故而在偏置中使用的2SC3423就足够了。Tr3使用它的互补对的2SA1360。其特性表示表5.1中。
    关于Tr4～Trs．是从hFE的稳定度来考虑的。希望能够流过最大电流0.8A的3倍——即2. 4A以上的集电极电流的晶体管。但是因为并联连接，能够流过其一半的电流即1. 5A的晶体管就可以。由此，在Trs与Tr，中使用通常用的2SA1306晶体管，在Tr。与Tr6中使用2SC3298晶体管。这些晶体管的特性表示在表5.2与表5.3中。