辅助材料的控制要求
发布时间:2012/5/7 19:38:59 访问次数:1382
辅助材料仅在声表面波器件VN1160T-E的制造过程中使用，但并不构成其结构。虽然这些材料不是声表面波器件结构的一部分，但是它们对可靠性的影响不可忽视，也需要严格控制。
(1)化学清洗材料
化学清洗材料分无机清洗剂和有机清洗剂两大类。无机清洗剂主要是硫酸、硝酸、盐酸、氢氟酸、双氧水、氨水。有机清洗剂主要是乙醇和丙酮。化学清洗剂主要控制其不溶物含量、重金属含量和钾、钠等有害杂质含量。控制方法一般是按控制指标要求定点购买，并定期委托第三方进行有关的质量检测。
(2)去离子水
许多工序都要用去离子水进行清洗，所以去离子水是控制声表面波器件沾污的重要因素。对去离子水主要控制参数是电阻率、微粒含量、残存有机物含量和细菌含量。电阻率是去离子水中导电离子含量的表征量，可用电导仪进行定量测量。应当在去离子水的使用出水端定期进行监测，测量时要进行温度修正，用25℃下的电阻率标称，细菌含量是通过对定量去离子水在一定条件下进行细菌培养，并进行显微观测的方法来定量测量的。残存有机物含量用化学称量法测量。微粒含量是用取一定量的去离子水放在固定面积的培养皿中，蒸发后用显微镜观察的方法实现定量测量的，也可以用称量法测量。
(3)气体
气体用来起保护作用，生产中用的气体主要是氮气和压缩空气，不纯的气体会使声表面波器件产生缺陷或造成沾污，形成失效隐患。主要控制指标有纯度、含水量、含尘量，其具体指标要依据不同的工艺要求制订。含水量常用分子筛过滤或用冷阱的方法控制，用露点测试仪测量。气体的含尘量用孔径不同的过滤器来控制。
(4)光刻版和光刻胶
光刻版和光刻胶是重要辅助材料，对光刻工艺的质量起着决定性的作用。在生产过程中，光刻版和光刻胶的质量控制不当将会使图形边缘出现锯齿和尖峰，形成断连指，造成低压击穿和金属化系统的电迁移失效。光刻胶的颗粒和光刻版的针孔会在图形上产生小岛或针孔。它们会造成漏电或使扩散结面出现尖峰引起低压击穿失效。光刻版要控制针孔和小岛的密度及套刻误差和缺陷图形的百分比。光刻胶主要控制分辨率和颗粒度。分辨率的测量是利用分辨率测试图形在高倍显微镜下观测或用线宽测试仪来实现。颗粒度的测量是将稀释过的光刻胶用一定孔径的过滤器过滤然后用称量法进行的，或者是按常规工艺在玻璃片或硅片上甩胶进行烘干，后用显微镜进行定量检测。控制标准与器件图形尺寸有关。
(1)化学清洗材料
化学清洗材料分无机清洗剂和有机清洗剂两大类。无机清洗剂主要是硫酸、硝酸、盐酸、氢氟酸、双氧水、氨水。有机清洗剂主要是乙醇和丙酮。化学清洗剂主要控制其不溶物含量、重金属含量和钾、钠等有害杂质含量。控制方法一般是按控制指标要求定点购买，并定期委托第三方进行有关的质量检测。
(2)去离子水
许多工序都要用去离子水进行清洗，所以去离子水是控制声表面波器件沾污的重要因素。对去离子水主要控制参数是电阻率、微粒含量、残存有机物含量和细菌含量。电阻率是去离子水中导电离子含量的表征量，可用电导仪进行定量测量。应当在去离子水的使用出水端定期进行监测，测量时要进行温度修正，用25℃下的电阻率标称，细菌含量是通过对定量去离子水在一定条件下进行细菌培养，并进行显微观测的方法来定量测量的。残存有机物含量用化学称量法测量。微粒含量是用取一定量的去离子水放在固定面积的培养皿中，蒸发后用显微镜观察的方法实现定量测量的，也可以用称量法测量。
(3)气体
气体用来起保护作用，生产中用的气体主要是氮气和压缩空气，不纯的气体会使声表面波器件产生缺陷或造成沾污，形成失效隐患。主要控制指标有纯度、含水量、含尘量，其具体指标要依据不同的工艺要求制订。含水量常用分子筛过滤或用冷阱的方法控制，用露点测试仪测量。气体的含尘量用孔径不同的过滤器来控制。
(4)光刻版和光刻胶
光刻版和光刻胶是重要辅助材料，对光刻工艺的质量起着决定性的作用。在生产过程中，光刻版和光刻胶的质量控制不当将会使图形边缘出现锯齿和尖峰，形成断连指，造成低压击穿和金属化系统的电迁移失效。光刻胶的颗粒和光刻版的针孔会在图形上产生小岛或针孔。它们会造成漏电或使扩散结面出现尖峰引起低压击穿失效。光刻版要控制针孔和小岛的密度及套刻误差和缺陷图形的百分比。光刻胶主要控制分辨率和颗粒度。分辨率的测量是利用分辨率测试图形在高倍显微镜下观测或用线宽测试仪来实现。颗粒度的测量是将稀释过的光刻胶用一定孔径的过滤器过滤然后用称量法进行的，或者是按常规工艺在玻璃片或硅片上甩胶进行烘干，后用显微镜进行定量检测。控制标准与器件图形尺寸有关。
辅助材料仅在声表面波器件VN1160T-E的制造过程中使用，但并不构成其结构。虽然这些材料不是声表面波器件结构的一部分，但是它们对可靠性的影响不可忽视，也需要严格控制。
(1)化学清洗材料
化学清洗材料分无机清洗剂和有机清洗剂两大类。无机清洗剂主要是硫酸、硝酸、盐酸、氢氟酸、双氧水、氨水。有机清洗剂主要是乙醇和丙酮。化学清洗剂主要控制其不溶物含量、重金属含量和钾、钠等有害杂质含量。控制方法一般是按控制指标要求定点购买，并定期委托第三方进行有关的质量检测。
(2)去离子水
许多工序都要用去离子水进行清洗，所以去离子水是控制声表面波器件沾污的重要因素。对去离子水主要控制参数是电阻率、微粒含量、残存有机物含量和细菌含量。电阻率是去离子水中导电离子含量的表征量，可用电导仪进行定量测量。应当在去离子水的使用出水端定期进行监测，测量时要进行温度修正，用25℃下的电阻率标称，细菌含量是通过对定量去离子水在一定条件下进行细菌培养，并进行显微观测的方法来定量测量的。残存有机物含量用化学称量法测量。微粒含量是用取一定量的去离子水放在固定面积的培养皿中，蒸发后用显微镜观察的方法实现定量测量的，也可以用称量法测量。
(3)气体
气体用来起保护作用，生产中用的气体主要是氮气和压缩空气，不纯的气体会使声表面波器件产生缺陷或造成沾污，形成失效隐患。主要控制指标有纯度、含水量、含尘量，其具体指标要依据不同的工艺要求制订。含水量常用分子筛过滤或用冷阱的方法控制，用露点测试仪测量。气体的含尘量用孔径不同的过滤器来控制。
(4)光刻版和光刻胶
光刻版和光刻胶是重要辅助材料，对光刻工艺的质量起着决定性的作用。在生产过程中，光刻版和光刻胶的质量控制不当将会使图形边缘出现锯齿和尖峰，形成断连指，造成低压击穿和金属化系统的电迁移失效。光刻胶的颗粒和光刻版的针孔会在图形上产生小岛或针孔。它们会造成漏电或使扩散结面出现尖峰引起低压击穿失效。光刻版要控制针孔和小岛的密度及套刻误差和缺陷图形的百分比。光刻胶主要控制分辨率和颗粒度。分辨率的测量是利用分辨率测试图形在高倍显微镜下观测或用线宽测试仪来实现。颗粒度的测量是将稀释过的光刻胶用一定孔径的过滤器过滤然后用称量法进行的，或者是按常规工艺在玻璃片或硅片上甩胶进行烘干，后用显微镜进行定量检测。控制标准与器件图形尺寸有关。
(1)化学清洗材料
化学清洗材料分无机清洗剂和有机清洗剂两大类。无机清洗剂主要是硫酸、硝酸、盐酸、氢氟酸、双氧水、氨水。有机清洗剂主要是乙醇和丙酮。化学清洗剂主要控制其不溶物含量、重金属含量和钾、钠等有害杂质含量。控制方法一般是按控制指标要求定点购买，并定期委托第三方进行有关的质量检测。
(2)去离子水
许多工序都要用去离子水进行清洗，所以去离子水是控制声表面波器件沾污的重要因素。对去离子水主要控制参数是电阻率、微粒含量、残存有机物含量和细菌含量。电阻率是去离子水中导电离子含量的表征量，可用电导仪进行定量测量。应当在去离子水的使用出水端定期进行监测，测量时要进行温度修正，用25℃下的电阻率标称，细菌含量是通过对定量去离子水在一定条件下进行细菌培养，并进行显微观测的方法来定量测量的。残存有机物含量用化学称量法测量。微粒含量是用取一定量的去离子水放在固定面积的培养皿中，蒸发后用显微镜观察的方法实现定量测量的，也可以用称量法测量。
(3)气体
气体用来起保护作用，生产中用的气体主要是氮气和压缩空气，不纯的气体会使声表面波器件产生缺陷或造成沾污，形成失效隐患。主要控制指标有纯度、含水量、含尘量，其具体指标要依据不同的工艺要求制订。含水量常用分子筛过滤或用冷阱的方法控制，用露点测试仪测量。气体的含尘量用孔径不同的过滤器来控制。
(4)光刻版和光刻胶
光刻版和光刻胶是重要辅助材料，对光刻工艺的质量起着决定性的作用。在生产过程中，光刻版和光刻胶的质量控制不当将会使图形边缘出现锯齿和尖峰，形成断连指，造成低压击穿和金属化系统的电迁移失效。光刻胶的颗粒和光刻版的针孔会在图形上产生小岛或针孔。它们会造成漏电或使扩散结面出现尖峰引起低压击穿失效。光刻版要控制针孔和小岛的密度及套刻误差和缺陷图形的百分比。光刻胶主要控制分辨率和颗粒度。分辨率的测量是利用分辨率测试图形在高倍显微镜下观测或用线宽测试仪来实现。颗粒度的测量是将稀释过的光刻胶用一定孔径的过滤器过滤然后用称量法进行的，或者是按常规工艺在玻璃片或硅片上甩胶进行烘干，后用显微镜进行定量检测。控制标准与器件图形尺寸有关。
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