在可调电阻区I内,器件的电阻值是变化的。当栅源电压LrGs~定时,器件内的沟道已经形成;当漏源电压叽、很小时,对沟道的影响可忽略。 L78M05CV此时沟道的宽度和电子的迁移率几乎不变,所以ⅠD与Lr忒几乎皇线性关系,该区域相当于BJT的饱和区。当L柢逐渐增大时,靠近漏区一端的沟道逐渐变窄,同时,沟道电子将达到散射极限速度,使ⅠD增加趋缓,即沟道有效阻值逐渐增加,直至靠近漏区一端的沟道被夹断或沟道电子达到散射极限速度,才使沟道电子的运动摆脱沟道电场的影响,开始进入饱和区Ⅱ。在饱和区Ⅱ中,当U∞不变时,rD趋于不变,该区域相当于BJT的线性放大区。当U啪增大至使漏极PN结反偏电压过高时,发生雪崩击穿,ⅠD突然增加,此时进人雪崩区Ⅲ,直至器件损坏。使用时应避免出现这种情况。当栅源电压小于阈值电压uα⑾时,功率MOSFET处于截止区。功率MOsFET一般应工作在开关状态。

  功率MOSFET是一种多数载流子传输的器件,可以在高频下工作,但受限于栅极输入电容和载流子通过漂移区所产生的穿越时问延迟。其开关特性的测试电路如图⒈27所示,其开关特性如图⒈28所示。