功率场效应晶体管的特性

    功率MOSFET在特性上的优越之处在于没有热电反馈引起的二次击穿,输人阻抗高,跨导的线性度好和工作频率高。

    (1)转移特性L78L15ACUTR

   转移特性表示功率M(BFET的输入栅源电压U∞与输出漏极电流ⅠD之间的关系,如图⒈26(a)所示,功率h/IOSFET中,增强型占主流。转移特性表示功率MOSFET的放大能力,与BJT中的电流增益相仿。由于功率MOsFET是电压控制器件,因此用跨导这一参数来表示。

   (2)输出特性

   当栅源电压L咏一定时,漏极电流ⅠD与漏源电压LJ帖之间的关系曲线称为MOSFET的输出特性,如图⒈26(b)所示。只有当栅源电压σGs达到或超过△厂α㈤时,MOSFET进人导通状态。栅源电压⒒,s越大,反型层越厚,即沟道越宽,则漏极电流越大。可见,漏极电流ⅠD受栅源电压的控制。输出特性的导通部分分为3个区域,即可调电阻区、饱和区和雪崩区.