透射电镜
发布时间:2017/11/16 20:48:44 访问次数:378
透射电镜:FIB定点切割制备的样品,经TEM观察发现NMOS管LDI)(lightlydoped dlcain)lX域、SGM8903YTS14G有源Ex和STI(shallow trench isolation)交接区域存在深度超过源漏离子注人区的深度的位错,如图14.36所示。
小结:产品级失效分析需涵盖版图分析、分析手法和观测△具选择与条件设定、实验结果解读和对相关下艺的F解等,同时也要遵守失效分析的基本原则。在该案例中,首先运用定性但是快速的PVC失效定位方法,冉有针对性地进人定量,但是耗时、昂贵的纳米探针技术,最终选择虽然昂贵却是唯一具有观察晶体缺陷能力的透射电镜作为观测工具。
透射电镜:FIB定点切割制备的样品,经TEM观察发现NMOS管LDI)(lightlydoped dlcain)lX域、SGM8903YTS14G有源Ex和STI(shallow trench isolation)交接区域存在深度超过源漏离子注人区的深度的位错,如图14.36所示。
小结:产品级失效分析需涵盖版图分析、分析手法和观测△具选择与条件设定、实验结果解读和对相关下艺的F解等,同时也要遵守失效分析的基本原则。在该案例中,首先运用定性但是快速的PVC失效定位方法,冉有针对性地进人定量,但是耗时、昂贵的纳米探针技术,最终选择虽然昂贵却是唯一具有观察晶体缺陷能力的透射电镜作为观测工具。
相关IC型号- SGM8903YTS14G
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