随着集成器件尺寸的缩小和金属线数量的增多,由金属互连结构的寄生效应引起的严重的RC延迟成为130nm及其以下技术中限制信号传输速率(频率)的主要冈素。lKl此,采用低霪材料做介质成为发展的方向。QAMI5516采用虑值越来越低的低乃材料(低=2.5~2.7)或超低虑材料(UI'K:乃(2.5),也给CMP带来新的挑战。 一方面低虑材料具有高度的多孔性及低硬度的性质,在抛光巾容易发牛裂缝及离的问题。这要求CMP向低压力的方向发展。一般在15nm及以下的技术中,抛光压力要求在5psi以下。有一种E CMP的技术就是用来应对低压力的挑战的,但是E CMP在缺陷及其他方面遇到了一些瓶颈问题。目前传统的研磨液抛光技术仍然是CMP的主流。另一方面对于低虍材料,由于它的多孔性,抛光时会对它造成损害,引起虑值的变化。一般来说,采用碱性的研磨液或清洗液,虑值的变化较大;采用酸性的研磨液或清洗液,泛值的变化较小。虑值变化的问题,可通过抛光后的一些处理T艺得到解决。