固定研磨粒抛光的划痕及与过度抛光时问的关系
发布时间:2017/11/11 17:40:39 访问次数:522
但是任何事物都有正负两面,目前固定研磨粒抛光的最大缺憾就是划痕较多,而且, QS3253Q过度抛光时间越长,划痕则越多,参见图l1.11。近年来,通过降低氧化铈研磨颗粒的大小,有效地降低了划痕的程度。但是,还有待氧化铈研磨粒固化工艺的进一步改进,新一代氧化铈研磨粒的研发以及高选择比化学液的完善。
但是任何事物都有正负两面,目前固定研磨粒抛光的最大缺憾就是划痕较多,而且, QS3253Q过度抛光时间越长,划痕则越多,参见图l1.11。近年来,通过降低氧化铈研磨颗粒的大小,有效地降低了划痕的程度。但是,还有待氧化铈研磨粒固化工艺的进一步改进,新一代氧化铈研磨粒的研发以及高选择比化学液的完善。
上一篇：固定研磨粒抛光工艺
上一篇：Cu CMP的过程和机理
相关技术资料- 11-11固定研磨粒抛光的划痕及与过度抛光时问的关系
- 7-1硬件结构
公网安备44030402000607
