曝光能量宽裕度指的是在线宽允许变化范围内,曝光能量允许的最大偏差。如线宽P16C2510-133L为90nm的线条,线宽随能量的变化为3nm/mJ,而线宽的允许变化范围是±9nm,那么允许的曝光能量变化范围是9×2/3=6mJ。如果曝光能量是30mJ,能量宽裕度相对曝光能量为⒛%。

    对焦深度一般是同光刻机焦距控制的性能相关的。如193nm的光刻机的焦距控制精度,包括机器的焦平面的稳定性、镜头的像场弯曲、散光像差、找平的精度、硅片平台的平整度等,为120nm,那么一个能够量产的工艺最小的焦深应该在120nm以上,如果加上其他工

艺的影响,如化学一机械平坦化(chemica卜mechanical planaozation),最小焦深还需要提高,如提到200nm。当然,后面会讲到,焦深的提高可能会以能量宽裕度为代价。

   掩膜版误差因子(MEF)定义为硅片线宽由于掩膜版上的线宽偏差造成的偏差同掩膜版上偏差的比值。

   通常情况下,MEF接近或者等于1.0。但是,在图形空间周期接近衍射极限,MEF会迅速增加。太大的误差因子会造成硅片上线宽均匀性的变差。或者,对应给定的线宽均匀性要求,对掩膜版线宽均匀性提出过高要求。