由于SACVD形成的⒊O2薄膜质量较差,所以在用于浅沟槽隔离时,在薄膜沉积完成后需要进行高温的退火以提高薄膜的密度和吸潮性。K4H511638D-UCCC目前退火主要包括:水蒸气退火+N2干法退火或N2干法退火。在高温退火的过程中,由于薄膜中存在氧(薄膜中残存的或吸潮形成的O-H键),沟槽间的有源区会被进一步氧化而使得有源区面积损失;而水蒸气退火更会使得活性s面积损耗得更加严重。可以通过降低蒸气退火的温度或/和减少退火时间来减轻这个问题 (见图4,22)。通过在STI沟槽侧壁上插人SiN衬垫也可以预防损失,同时退火条件对HARP填充能力也有一些影响。由于在干法退火后H剡文P薄膜大量收缩,所以有时在沟槽内部可以发现裂缝。与此相反,蒸气退火可使HARP收缩减少,从而获得更好的填充效果。